答:(1)弗兰克—瑞德位错增殖机制位错增殖是晶体中的位错在一定形式的运动中,自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度,从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。能使位错增殖发生的特殊位错组态或构型称为位错源。位错的增殖机制主要有三种机制:弗兰克—瑞德(Frank-Read)位错源机制、双交滑移增殖机制
F-R机制是指位错线两端被钉扎,在外力作用下发生弯曲、扩展,最终形成位错环并重复此过程实现增殖。 F-R(Frank-Read)机制的推理过程如下: 1. **钉扎条件**:位错线段两端被晶格中的钉扎点(如杂质、第二相等)固定,无法自由移动。 2. **外力作用**:当晶体受外力时,位错线段在滑移面上受到剪切应力作用,开始弯...
周而复始,实现位错增殖。 图4 F-R位错源增殖机制 图5 F-R位错源增殖机制的动图演示 弗兰克-瑞德(F-R)源的产生: 刃型位错的攀移 位错交割后形成固定割阶 螺型位错交滑移 弗兰克-瑞德(F-R)源发生作用的条件: 外加切应力大于位错运动点阵摩擦力和障碍物阻力。 外加切应力τ与位错线曲率半径γ之间的关系...
位错增殖机制包括滑移、螺旋升华、双层嵌错、三层嵌错等多种方式。其中,滑移是位错增殖最常见的方式。它是指在晶体中外力的作用下,位错沿着晶格平面滑动,使晶体发生塑性变形。滑移位错的滑移方向和晶体中某个晶面的方向平行,滑移方向通常是晶体易于滑移的方向。此外,滑移位错还可以沿倾斜的晶面滑移或沿着非晶面滑移,这种...
位错增殖机制主要包括位错的生成、扩散和堆积三个过程。首先,位错的生成通常发生在晶体生长的起始阶段,由于晶体生长速度不均匀或外界条件的影响,晶体内部会出现一些缺陷,这些缺陷就是位错的生成点。随着晶体生长的进行,这些位错会不断扩散并与其他位错相互作用,形成更复杂的位错结构。 位错的扩散是位错增殖的关键过程,它...
位错的生成主要通过塑性变形、晶体生长缺陷、热应力等过程。弗兰克-瑞德源机制中,两端被钉扎的位错线段在应力作用下弯曲扩展,最终释放位错环并重复增殖。 由于无法直接绘图,其步骤为: 1. 位错线两端钉扎; 2. 应力作用使线段弯曲; 3. 弯曲扩展并相连形成环; 4. 环脱离,原始线段再生。 **位错生成**:晶体中的...
试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm,而位错的伯氏矢量为0.2nm,试求实现位错增殖所必需的剪应力(G=40GPa)。相关知识点: 试题来源: 解析如图17所示,有一螺型位错在(111)面上滑移(a),于某处受阻不能继续滑移,此位错的一部分就离开(111)面而沿[*]面进行交滑移,同时...
然后，位错会回到黑线状态，这个过程周而复始，每一次循环都会产生一个新的位错环，这就是弗兰克-里德位错源的增殖机制。启动弗兰克-里德位错源所需的临界应力并非恒定，而是与位错AB的长度，即钉扎点之间的距离密切相关。同时，此位错的线张力也会影响启动这个过程的应力阈值。因此，这两个因素共同决定了...
位错增殖的机制 位错的增殖机制主要有三种:弗兰克-里德位错源(Frank-Read source)机制、双交滑移增殖机制,和攀移增殖机制。 具体来说,弗兰克-里德位错源机制是若某滑移面有一段刃型位错AB,两端被位错网节点钉住不能运动。在沿其垂直线方向外加剪切应力使位错沿滑移面运动,由于两端固定,所以只能使位错线弯曲。在...
位错攀移可引发位错线的弯曲和扭折。这些几何变化为位错增殖创造了有利条件。一个位错源在合适条件下可通过攀移产生多个位错。位错增殖的攀移机制存在多种具体模式。Frank - Read源（弗兰克 - 里德源，一种位错增殖机制模型）在一定条件下可通过攀移实现位错增殖。双交滑移过程中的位错攀移也能促使位错数量增加。位错...