【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E都位于布里渊区中心,而导带底E。则位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。直接带隙半导体材料是指导带最小值E和价带最大值E。在k空间中处于同一位置的半导体...
答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中... 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 ...
直接带隙半导体是指具有直接能带隙的半导体材料。在这种材料中,电子在价带和导带之间跃迁时,能量不需要经过中间态的转换,因此跃迁的能量损失很小。这种材料具有高的光吸收率和较短的电子寿命,因此常用于光电器件和激光器等领域。 二、什么是间接带隙半导体? 间接带隙...
直接带隙半导体材料特点在于导带底和满带顶在k空间中处于同一位置。这意味着电子跃迁至导带进行电导只需要吸收能量，无需额外的动量改变。这类半导体材料在光电转换、激光器、发光二极管等领域有广泛应用。相比之下，间接带隙半导体材料的导带底与满带顶在k空间中处于不同位置。这种结构导致电子跃迁至导带不...
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙半..总结来说,直接带隙半导体具有更高的电子-空穴转化效率和更稳定的能级结构,而间接带隙半导体通常有较高的发光的荧光量子产率和优秀的抗电磁干扰能力
直接带隙和间接带隙的半导体的物理差异是什么? 我的暂时理解为直接带隙的动量与能量转换均匀,间间带隙的转换不均匀,所以会出现间接带隙的晶体动量的有限值概念。不知道对不对。... 我的暂时理解为直接带隙的动量与能量转换均匀,间间带隙的转换不均匀,所以会出现间接带隙的晶体动量的有限值概念。不知道对不对。
【解析】【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E,都位于布里渊区中心,而导带底E则位于 =100 方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。直接带隙半导体材料是指导带最小值E和价带最大值E在k空间中处于同一...
1直接带隙和间接带隙是怎么回事?ZnO是一种直接带隙半导体材料,为什么说它是直接带隙的?直接带隙会导致它有什么样的特点?那为什么越过间接带隙还要改变动量? 2 直接带隙和间接带隙是怎么回事? ZnO是一种直接带隙半导体材料,为什么说它是直接带隙的?直接带隙会导致它有什么样的特点? 那为什么越过间接带隙还要改...