答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中... 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 ...
直接带隙材料：具有较高的光电转换效率，适用于光电探测器、太阳能电池等应用。间接带隙材料：适用于高温环境和辐射环境下的应用，例如半导体激光器、半导体辐射探测器等。综上所述，直接带隙材料和间接带隙材料在应用上有明显的区别，选择合适的材料对于应用场景至关重要。
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中...结果一 题目 直接带隙和间接带隙是怎么回事?ZnO是一种直接带隙半导体材料,为什么说它是直接带隙...
直接带隙材料：具有较高的光电转换效率，适用于光电探测器、太阳能电池等应用。间接带隙材料：适用于高温环境和辐射环境下的应用，例如半导体激光器、半导体辐射探测器等。综上所述，直接带隙材料和间接带隙材料在应用上有明显的区别，选择合适的材料对于应用场景至关重要。
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。二、间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。三、间接带隙...
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...