SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏...
控制方式:SiC MOSFET是电压控制器件,而SiC SBD是电流控制器件。 应用场景:SiC MOSFET更适合作为开关元件在高频、高效率的逆变器和转换器中使用;而SiC SBD通常用作自由轮流二极管或者在低损耗的整流应用中。 性能特点:SiC MOSFET提供高频开关能力和高温下的稳定性,SiC SBD则提供极低的正向压降和快速开关特性。 在许多...
SiC SBD: 工作原理:SiC SBD是一种利用肖特基势垒效应的整流二极管。当施加正向偏压时,金属电极和碳化硅之间的电子流被阻碍,形成势垒;当施加反向电压时,势垒增加,电子更难通过。这种二极管具有较低的反向漏电流和较高的开关速度。 特性与优势:SiC SBD具有高耐压、低导通压降和快速恢复等特性。其耐压能力可达600V以上,...
SiC肖特基势垒二极管(SBD)的温度特性是什么? 图1显示了碳化硅(SiC)SBD正向电压的每个温度的IF-VF曲线示例。在IF较小的区域内,正向电压(VF)随温度升高而降低;如为Si二极管(图2),当电流较大时,正向电压随温度升高而升高。 这种变化是由半导体电阻元件的热阻变化引起的。
SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征 SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。 SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征,SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。
什么是SiC肖特基势垒二极管(SBD)热失控*? 由于SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10,因此不太可能发生热失控。 对于传统Si SBD,有些产品即使在80%的额定电压下也有较大的漏电流,从热失控的角度来看这些产品很难使用Si SBD。 由于芯片材料(SiC)以及芯片设计优化(JBS结构:结势垒肖特基结构),我们的SiC SBD的漏电流约...
碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)的器件采用了结势垒肖特基二极管结构(JBS),可以有效降低反向漏电流,具备更好的耐高压能力。 2、碳化硅肖特基二极管优势 碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件,因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。在器件从正向导通向反向阻断转换时,几乎没有反向恢复...
SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体,对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件,具有优于Si半导体的低阻值,可以高速工作,高温工作,能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。 SiC半导体的功率元器件SiC-SBD(肖特基势垒二极管)和SiC-MOSFET已于2010年*1量产出货,SiC的...
前些日子,三菱电机宣布将推出第二代全SiC(碳化硅)功率模块,模块中的 SiC-MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和 SiC-SBD(肖特基势垒二极管)芯片具备的低功耗和高载频运行的特性,将能帮助各工业领域开发出更高效、更小、更轻的动力设备组件。该系列模块预计在明年1月份开始正式发售(还有一个月哦)。