二极管特征：给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止。 二极管的导通和...
MOSFET具有高频特性好，但导通电阻大，功耗较大；IGBT在低频及较大功率场合表现卓越，导通电阻小，耐压高。
1.二级管 2.三极管 3.晶闸管 4.MOS管 5. IGBT 6.MOS管与IBGT的区别 摘要 作为小白,我刚开始时对有时出现晶闸管、MOS管、IGBT等等类似二级管的元器件搞得一头雾水,下面本文将从各个元器件的特征、原理及区别进行归纳总结,同时将同种元器件的不同昵称进行罗列分析,方便将所有类二级管的元器件搞懂、搞明白。
三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电...
6.MOS管与IBGT的区别 MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大; 而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、...
6.MOS管与IBGT的区别 MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大; 而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、...