IGBT特征：由双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管 IGBT特征:由双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT原理:下图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N区称为源区,附于其上的电极称为发射极E(图示为S)。N-与N+称为...
MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管。具有高输入电阻，分为N沟道管和P沟道管。通过栅极电压控制沟道电流，实现电路控制。5. IGBT IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成。具有低导通电阻和高耐压特性，适用于低频及较大功率场合。6. MOS管与IGBT的区别 MOSFET具有...
国产功率半导体已在众多领域应用,特别是低端产品,如萨科微的TVS二极管ESD二极管、三极管晶闸管、非车规低压MOSFET、可控硅、桥堆等产品,已初现规模化效应,”国产替代”率相对较高等特点,市场份额还在不断提高。在中高端领域,如SJ MOSFET、IGBT、碳化硅mos管等,特别是车规产品,由于起步晚、工艺相对复杂以及缺乏车规验证...
而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
一图看懂二极管、三极管、晶闸管、MOS管,IGBT之间关系。三极管(双极型晶体管)有点像两支二极管反接;晶闸管相当于一NPN和一PNP型三极管接成对门极正反馈;绝缘柵型场效应管((MOS)具有良好的电压驱动特性;IGBT也叫绝缘柵双极型晶体管,内部相当于MOS管和双极型两晶体管(可看作一个晶闸管)构成,IGBT结合了MOS管优良驱动...
而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
一图看懂二极管、三极管、晶闸管、MOS管,IGBT之间关系。三极管(双极型晶体管)有点像两支二极管反接;晶闸管相当于一NPN和一PNP型三极管接成对门极正反馈;绝缘柵型场效应管((MOS)具有良好的电压驱动特性;IGBT也叫绝缘柵双极型晶体管,内部相当于MOS管和双极型两晶体管(可看作一个晶闸管)构成,IGBT结合了MOS管优良驱动...