关键词:Advanced Science ,自旋轨道矩(SOT),新型神经元器件,磁随机存储器(MRAM),微电子器件与集成技术重点实验室 自旋轨道矩与磁隧道结内建磁场间协同作用驱动物理机制与神经元模拟特性: (a). Ta/SAF/W/CoFeB/MgO/CoFeB/W/Ru/Ta垂直各向异性膜堆功能层磁化翻转特性、内建磁场表征及各有效场耦合图示; (b)
该研究成果提出了一种具有可行性的无外场辅助写入SOT-MTJ方案,并有助于实现高密度无外场SOT-MTJ阵列集成,为新一代大容量SOT-MRAM奠定了基础。 相关研究成果以“Field-Free Deterministic Writing of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunneling ...
该器件可以实现高达1 ns的写入速度(图2(e)),并能够在100℃高温环境下稳定工作。此外,片内不同器件的电学特性具有较好的一致性(图2(f))。该研究成果提出了一种具有可行性的无外场辅助写入SOT-MTJ方案,并有助于实现高密度无外场SOT-MTJ阵列集成,为新一代大容量SOT-MRAM奠定了基础。 相关研究成果以“Field-Free...
团队利用自旋-轨道耦合和界面 Dzyaloshinskii-Moriya interaction协同效应, 实现了可编程的多态突触器件且具有高可靠性。系统的第一性原理计算证实,5d-3d原子间距的减小增强了Dzyaloshinskii-Moriya反对称相互作用,结合高能效自旋轨道矩(SOT)全电控磁畴壁驱动,可实现稳定可靠的畴壁钉扎与退钉扎。 研究人员展示了一种具有S...
阻变存储器(RRAM)、铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)、闪存和磁随机存储器(MRAM)等不同类型的非易失性存储器都显示出对神经网络应用的前景,但同时也带来了与非线性、能效、面积开销和可靠性相关的固有挑战。这些挑战使得定制非易失性存储器变得困难,导致学习准确性的损失,并阻碍实现特定的突触或非线性激活功能...
团队利用自旋-轨道耦合和界面 Dzyaloshinskii-Moriya interaction协同效应, 实现了可编程的多态突触器件且具有高可靠性。系统的第一性原理计算证实,5d-3d原子间距的减小增强了Dzyaloshinskii-Moriya反对称相互作用,结合高能效自旋轨道矩(SOT)全电控磁畴壁驱动,可实现稳定可靠的畴壁钉扎与退钉扎。
关键词:Advanced Science ,自旋轨道矩(SOT),新型神经元器件,磁随机存储器(MRAM),微电子器件与集成技术重点实验室 自旋轨道矩与磁隧道结内建磁场间协同作用驱动物理机制与神经元模拟特性: (a). Ta/SAF/W/CoFeB/MgO/CoFeB/W/Ru/Ta垂直各向异性膜堆功能层磁化翻转特性、内建磁场表征及各有效场耦合图示; (b). ...