GaAs 是制作 MESFET 的主要材料之一。在半绝缘 GaAs 衬底上生长一层 n 型 GaAs 以降低寄生电阻。通过蒸发源极和漏极的欧姆接触在 n 型外延层顶部形成肖特基势垒。金属半导体接触工艺使得 MESFET 的沟道更短,有利于提高器件的开关速度和工作频率。
量子阱激光器是一种有源区厚度很窄的半导体激光器。有源区域的厚度决定了由激光器发射光的波长。量子阱激光器技术提高了电子-空穴复合概率,从而提高了量子阱激光器中的低阈值电流。GaAs/AlGaAs外延材料是目前广泛用于生长单量子阱激光器的半导体材料之一。可供GaAs/AlGaAs
场效应晶体管(FET)本质上是半导体电流路径,其电导通过施加垂直于电流的电场来控制。该场和半导体沟道中的载流子密度通过施加在金属栅极上的电压而改变。沟道中的电子越多,其导电性就越高,晶体管的性能也就越好。此外,随着异质结构科学和技术的发展,异质结场效应晶体管(HFET)在微波、毫米波和高速数字集成电路应用中比...