7.2 ESD Ratings VALUE V(ESD) (1) (2) Electrostatic discharge Human-body model (HBM), per ANSI/ESDA/JESD22-A114 (1) ±1000 Charged-device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101 (2) ±250 UNIT V JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a ...
ESD 绝对最大额定值 符号 参数 条件 VESD(HBM) 静电放电电压(人体模型) TA = +25 ℃, 符合 JESD22-A114 VESD(CDM) 静电放电电压(充电设备模型) TA = +25 ℃,符合 JESD22-C101 静态栓锁(LU) 需要在 6 个样品上进行 2 个互补的静态栓锁测试,以评估栓锁性能: 在每个电源引脚上,施加超过极限的...
ESD 绝对最大额定值 符号 参数 条件 VESD(HBM) 静电放电电压(人体模型) TA = +25 ℃, 符合 JESD22-A114 VESD(CDM) 静电放电电压(充电设备模型) TA = +25 ℃,符合 JESD22-C101 静态栓锁(LU) 需要在 6 个样品上进行 2 个互补的静态栓锁测试,以评估栓锁性能: 在每个电源引脚上,施加超过极限的...
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2. External clock is 8 MHz and PLL is on when fHCLK > 8 MHz. DocID14610 Rev 9 43/121 120 Electrical characteristics STM32F101xC, STM32F101xD, STM32F101xE Figure 11. Typical current consumption in Run mode versus frequency (at 3.6 V) - code with data processing running from RAM, ...
SMDRI127-470MT FRS-16A45H1015 SAFFB1G56KB0F0AR1X TAJD107K010RNJ B04B-XASK-1(LF)(SN) IR2101STRPBF KH-TYPE-C-16P CL10C101JB8NNNC TPS7A4901DGNR 436500315 PJ-342 SMBJ6.0CA 1N4148W 0603WAJ0103T5E TPS54331DDAR PESD5V0S1BA 咨询客服 优惠券 芯媒体 建议反馈 投诉意见 收起展开客服 ...
7.2 ESD Ratings VALUE V(ESD) (1) (2) Electrostatic discharge Human-body model (HBM), per ANSI/ESDA/JESD22-A114 (1) ±1000 Charged-device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101 (2) ±250 UNIT V JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a ...
(CDM), per JEDEC specification JESD22- C101 or ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(2) ±2000 ±500 V TMS320F28377D, TMS320F28379D, TMS320F28376D, TMS320F28375D, TMS320F28378D, and TMS320F23874D in 176-pin PTP package V(ESD) Electrostatic discharge (ESD) Human-body model (HBM), per ANSI/ESDA...
(CDM), per JEDEC specification JESD22- C101 or ANSI/ESDA/JEDEC JS-002(2) ±2000 ±500 V TMS320F28377D, TMS320F28379D, TMS320F28376D, TMS320F28375D, TMS320F28378D, and TMS320F23874D in 176-pin PTP package V(ESD) Electrostatic discharge (ESD) Human-body model (HBM), per ANSI/ESDA...