研究表明,二硫化钨WS2/二硒化钨WSe2莫尔超晶格,有望用于设计和探索费米子、玻色子以及两者混合的新关联态。 Valley-polarized exitonic Mott insulator in WS2/WSe2moiré superlattice. 在WS2/WSe2莫尔超晶格中,谷极化激子莫特Mott绝缘体 图1:在二硫化...
WS2和WSe2样品发光性质的影响,并围绕这一处理路径进行实验优化与结果分析。 本课题首先通过机械剥离法制备了表面状况良好的WS2和WSe2样品,再通过一定浓度的硫酸处理,不断改善处理的相关实验条件,经过结果分析后,得到了处理后单层WS2光致发光强度增强的结果,而WSe2样品处理后光致发光没有增强,表现强度有所减弱的结果。
近期，在期刊《Nature Communications》发表的“Excitonic Mott insulator in a Bose-Fermi-Hubbard system of moiré WS2/WSe2 heterobilayer”研究中，科学家们发现在硫化钨(WS2)和硒化钨(WSe2)构成的异质双层结构中，出现了一种引人注目的现象：激子Mott绝缘体。该研究探讨了在具有Mott绝缘体特性的玻色-费米-哈...
WS2/WSe2/MOS2/WSe2 异质结 基地可提供定制 西安齐岳生物科技有限公司可以提供以下二维纳米材料:石墨烯、石墨炔、拓扑绝缘体、过渡族金属硫化物(TMDs)、过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)、六角氮化硼(h-BN)、磷烯、锑烯、铋烯 智能黑磷水凝胶纳米医药载体、钙钛矿二维材料、二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、黑磷纳米...
本论文第一个内容介绍了利用双向气流化学气相沉积(CVD)方法通过控制载气流动方向和生长时间精确控制了外延异质结的宽度,在Si O2/Si衬底上合成出2D/2D和2D/1D WS2/WSe2横向异质结.扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)图像表明,通过精确控制生长时间,外延WSe2的宽度从11 nm到4 μm不等,且2D/1D异质结界面...
WS2-WSe2面内异质结CVD-少层氮化硼BN薄膜硅基单层氮化硼BN薄膜CVD-多层氮化硼BN薄膜CVD-PdS2薄膜(进口)硅基氮化硼/石墨烯异质结铜基单层氮化硼薄膜SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜一步转移法单层氮化硼薄膜CVD-2H-MoTe2全覆盖连续薄膜(进口)CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜(进口)MBE-MoSe2三角形...
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本研究表征了展现超锐利相干界面的单层WS2/WSe2异质结的局部形貌和电子结构。由晶格失配引起的界面两侧均匀的内建应变导致了WS2带隙减小。通过对跨界面的隧道差分电导进行成像,发现了两种材料之间波函数混合产生的II型能带排列和仅~3 nm宽的超窄电子跃迁区域。通过设计调控HS超晶格的电子特性,有助于为基于超薄TMD的...
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