近期，在期刊《Nature Communications》发表的“Excitonic Mott insulator in a Bose-Fermi-Hubbard system of moiré WS2/WSe2 heterobilayer”研究中，科学家们发现在硫化钨(WS2)和硒化钨(WSe2)构成的异质双层结构中，出现了一种引人注目的现象：激子Mott绝缘体。该研究探讨了在具有Mott绝缘体特性的玻色-费米-哈...
研究发现,当一个层间激子占据一个莫尔晶胞时,会出现激子莫特Mott绝缘态。此外,激子莫特Mott绝缘体态的谷极化增强了近一个数量级。研究表明,二硫化钨WS2/二硒化钨WSe2莫尔超晶格,有望用于设计和探索费米子、玻色子以及两者混合的新关联态。 Valley-polariz...
有鉴于此,近日,美国加州大学伯克利分校王枫教授团队展示了低温下WSe2/WS2异质结中莫尔电位的动态调控。利用低温扫描近场光学显微镜(SNOM)的光纤尖端使异质结局部变形并同时测量其近场光学响应。异质结的变形增加了莫尔电位,导致莫尔激子共振的红移。观察到层间激子共振位移高达20 meV,而层内激子共振位移高达17 meV。本文...
最近的研究发现,二维钨系化合物(WS2、WSe2)在导带底和价带顶处具有相反的自旋构型,显著影响了它们的激子行为,为这些化合物提供了更为引人入胜的物理学特性。然而,这也增加了WS2中多体激子态研究的难度和复杂度。尤其是单层WS2...
38.图4为实施例1所制备的wse2/wo3和wse2/ws2垂直异质结纳米材料的xps能谱。 39.图5为实施例2所制备的wse2/ws2垂直异质结纳米材料的稳态光致发光光谱。图中黑色曲线是在单层wse2区域采集的稳态光致发光光谱,对应于单层wse2的层内激子发射;红色曲线是wse2/ws2异质结构采集的光致发光光谱,ie是层间激子发射峰,明...
龙闰教授课题组通过密度泛函理论计算MoSe2/WSe2/WS2异质结的电子结构,发现在低于异质结导带底的K能谷0.1eV处的Q能谷形成了层间耦合态。因此,无论是激发顶层的WS2还是底层的MoSe2,光激发产生的电子均会首先散射到Q能谷的层间耦合态上,从而实现超快的电子转移,这一结果与光致发光谱以及超快泵浦实验探测得到的...
Nat. Commun.:WSe2和WS2单层中驻留电子的自旋谷泵浦 成果介绍 过渡金属硫族化合物单层是电或光控制自旋和谷自由度的理想材料。然而,光激发主要产生具有本征短寿命和自旋/谷弛豫时间的激子种类。 有鉴于此,近日,法国图卢兹大学Xavier Marie,Cedric Robert和巴黎综合理工学院Fabian Cadiz(共同通讯作者)等展示了n掺杂WSe...
最近的研究发现,二维钨系化合物(WS2、WSe2)在导带底和价带顶处具有相反的自旋构型,显著影响了它们的激子行为,为这些化合物提供了更为引人入胜的物理学特性。然而,这也增加了WS2中多体激子态研究的难度和复杂度。尤其是单层WS2的第一布里渊区中的间接带Q谷(与直接带K谷具有相同自旋和接近的能级)对谷多体复合...
在吸收光谱上可以看到 WS2 与 WSe2 上均呈现出几个明显的吸收峰, A/B 吸收 峰是由于在单层过渡金属硫化物中存在强的自旋 -轨道耦合, 导致价带劈裂产生两个带隙较为接近 的光吸收跃迁, 更高能量的吸收峰源于硫族元素 在 K 谷外的载流子贡献 [30]. WS2 的 A/B 激子共振 峰的波长分别位于 617 nm 和 ...
单层WS2激子辐射的全光学可逆调控 MoS2、WSe2材料及相关异质结的电学与光电性质 基于WSe2_MoSe2异质结的高性能光电探测器研究 尺寸效应对MoS2-WSe2范德华异质结构层间与俄歇复合的界面调控 2Lateral heterojunctions within monolayer MoSe2–WSe2 semiconductors 一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法 ws2...