引线键合(Wire Bonding)是一种用于将芯片内部的电极与外部引线连接的关键技术,广泛应用于集成电路(IC)封装中。其主要目的是实现芯片与基板或封装之间的电气互连,确保电子设备的正常运行和可靠性。这种传统的引线键合虽然应用比较普遍,但是随着封装技术的发展,也出现了加装芯片键合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔(Through Sil...
Wire bonding指的上面的引线。 Wirebonding的优化-flipchip Flip Chip的优点在于: 更多的IO接口数量,更小的封装尺寸,更好的电气性能,更好的散热性能,更稳的结构特性,更简单的加工设备。 但缺点在于价格高,主要原因是: 芯片需要在AP层设计RDL用于连接bump,RDL的生产加工需要多一套工艺flip chip基板的生产加工,基板...
在理想控制条件下,引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散,从而使两种金属间实现原子量级上的键合。 图一 在IC封装中,芯片和引线框架(基板)的连接为电源和信号的分配提供了电路连接。有三种方式实现内部连接∶倒装焊(Flip Chip Bonding)、载带自动焊(TAB 一Tape Automated Bonding)和引线键合(WireBonding)。虽然...
近来,加装芯片键合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔(Through Silicon Via,简称TSV)正在成为新的主流。加装芯片键合也被称作凸点键合(Bump Bonding),是利用锡球(Solder Ball)小凸点进行键合的方法。硅穿孔则是一种更先进的方法。为了了解键合的最基本概念,在本文中,我们将着重探讨引线键合,这一传统的方法。 一、键合法的...
Flip Chip也叫倒晶封装或者覆晶封装,是一种先进的封装技术,有别于传统的COB技术,Flip Chip技术是将芯片连接点长凸块(bump),然后将芯片翻转过来使凸块与基板(substrate)直接连接。 wire bond图 一、COB技术——Wire bond 1.Ball Bonding(球焊) 金线通过空心夹具的毛细管穿出,然后经过电弧放电使伸出部分熔化,并在...
目前集成电路的封装内部最常见的方式有「打线封装(Wire bonding)」与「覆晶封装(FCP：Flip Chip Package)」两种，如果芯片的正面朝上，也就是含有黏着垫的那一面朝上，通常使用「打线封装(Wafer bonding)1.Wire bond原理： 对金属丝和压焊点同时加热和超声波，接触面便产生塑性变形，并破坏了界面的氧化膜，使其...
Flip Chip也叫倒晶封装或者覆晶封装,是一种先进的封装技术,有别于传统的COB技术,Flip Chip技术是将芯片连接点长凸块(bump),然后将芯片翻转过来使凸块与基板(substrate)直接连接。 wire bond图 一、COB技术——Wire bond 1.Ball Bonding(球焊) 金线通过空心夹具的毛细管穿出,然后经过电弧放电使伸出部分熔化,并在...
关键词: RFID|NFC RFID RFID封装 Flip Chip wire bonding Abstract: Key words : 印刷天线与芯片的互联上,因RFID标签的工作频率高、芯片微小超薄,目前主流的方法分为两种: 最适宜的方法是倒装芯片(Flip Chip)技术,它具有高性能、低成本、微型化 、高可靠性的特点,为适应柔性基板材料,倒装的键合材料要以导电胶来...
从1965年至今,这种连接方法从引线键合(Wire Bonding),到倒装芯片键合(Flip Chip Bonding),再到TSV,经历了多种不同的发展方式。引线键合顾名思义,是利用金属引线进行连接的方法;倒装芯片键合则是利用凸点(bump)代替了金属引线,从而增加了引线连接的柔韧性;TSV作为一种全新的方法,通过数百个孔使上下芯片与印刷电路板...
目前集成电路的封装内部最常见的方式有「打线封装(Wire bonding)」与「覆晶封装(FCP:Flip Chip Package)」两种,如果芯片的正面朝上,也就是含有黏着垫的那一面朝上,通常使用「打线封装(Wafer bonding) 1.Wire bond原理: 对金属丝和压焊点同时加热和超声波,接触面便产生塑性变形,并破坏了界面的氧化膜,使其活性化...