封装/ 箱体 VSONP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 39 A Rds On-漏源导通电阻 10.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.1 V Qg-栅极电荷 15 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 CSD19534Q5A、 TI、 VSONP-8 商品图片 商品参数 品牌: TI 封装: VSONP-8 批号: 新年份 数量: 50000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/电压基准 商品关键词 CSD19538Q3A、 TI/德州仪器、 VSONP-8 商品图片 商品参数 品牌: TI/德州仪器 封装: VSONP-8 批号: 两年内 数量: 56566 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/...
封装/规格:VSONP-8 产品类型:MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD18504Q5A 描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A 栅源极阈值电压 2.4V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.6MΩ 流明 17A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道 N沟道 40V...
封装/规格:VSONP-8 产品类型:MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD18534Q5A 描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 13A 栅源极阈值电压 2.3V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.8MΩ 流明 14A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道 ...
NSM2016 SOP-8 芯片级封装电流传感器2024-01-10 11:52 产品型号:NSM2016量程范围:20~50A供电电压:3.3V/5V爬电距离/电气间隙:4mm/4mm温度范围:-40℃~125℃信号带宽/响应时间:380kHz/1.5μs 立即咨询 NSM2019 SOW-10 芯片级封装电流传感器2024-01-10 11:39 ...
封装: VSONP-8 批号: 两年内 数量: 65635 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms Vgs ...
封装: VSONP-8 批号: 18+ 数量: 1474 制造商: TexasInstruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/箱体: VSONP-8 通道数量: 1Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40V Id-连续漏极电流: 50A RdsOn-漏源导通电阻: 6.6mOhms Vgs-栅极-源极电压:...
封装/规格:VSONP-8 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD17578Q3A 描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 1.9V 流明 250UA 漏源导通电阻 7.3MΩ 流明 10A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.2W 类型 N沟道 N沟道 30V ...
阿里巴巴场效应管(MOSFET) CSD17307Q5A VSONP-8 TI CSD17307,集成电路(IC),这里云集了众多的供应商,采购商,制造商。这是场效应管(MOSFET) CSD17307Q5A VSONP-8 TI CSD17307的详细页面。品牌:FM D,电源电压:6.3V-50V,规格型号:电子元器件。我们还为您精选了集成电路(IC