封装/ 箱体 VSONP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 39 A Rds On-漏源导通电阻 10.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.1 V Qg-栅极电荷 15 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 CSD19534Q5A、 TI、 VSONP-8 商品图片 商品参数 品牌: TI 封装: VSONP-8 批号: 新年份 数量: 50000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/电压基准 商品关键词 CSD19538Q3A、 TI/德州仪器、 VSONP-8 商品图片 商品参数 品牌: TI/德州仪器 封装: VSONP-8 批号: 两年内 数量: 56566 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/...
封装/规格:VSONP-8 产品类型:MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD18504Q5A 描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A 栅源极阈值电压 2.4V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.6MΩ 流明 17A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道 N沟道 40V...
封装/规格:VSONP-8 产品类型:MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD18534Q5A 描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 13A 栅源极阈值电压 2.3V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.8MΩ 流明 14A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道 ...
CSD17551Q3A 17551 VSONP-8 N沟道 MOS场效应管芯片MOS场效应管 N沟道 型号: CSD17551Q3A 品牌: TI(德州仪器) 立即咨询 立即购买 --- 产品参数 --- 漏源极击穿电压 30 V 连续漏极电流 48 A 漏源导通电阻 9 mOhms 栅源极阈值电压 1.1 V 工作温度 -55℃~150℃ ...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 CSD18503Q5A、 TI/德州仪器、 VSONP-8 商品图片 商品参数 品牌: TI/德州仪器 封装: VSONP-8 批号: 新年份 数量: 150000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道...
CSD18511Q5A VSONP-8 N-CH 159A 40V 全新原装 CSD18511 价格 ¥ 4.25 起订数 1件起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 接口IC 商品图片 商品参数 包装: 盒装 品牌: 安富世纪 封装: SOT-23 包装: 散装 系列: IC 应用领域: 智能家居 特色服务: 针对全世界...
求购2025夏 CSD18531Q5A 封装 VSONP-8 贴片N沟道MOSFET晶体管芯片IC全新原装招标 询价单编号:ZGC6100***569 询价单有效期:至2025***入驻工厂可见 联系人及电话:陈女士 ***入驻工厂可见 备注:***入驻工厂可见 采购类目集成电路(IC) 采购类型一次 货物类型现货 收货地址广东 广州 阿里巴巴找到海量相关...
清晰:4k 类型:校园片 主演:林禹绪,郭少云,张多蕙,塔提阿娜·玛斯拉尼,舒强,丽雅·罗伯茨 导演:阿诺·德斯普里钦,林子雄 国家/地区:多哥 时长:183分钟 语言/字幕:未知 年代:2009 更新时间:2025-04-08 08:53 影视/评论:当前有464条评论 4k 高清