封装/ 箱体 VSONP-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 39 A Rds On-漏源导通电阻 10.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 10 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.1 V Qg-栅极电荷 15 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-...
封装: VSONP-8 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20...
封装: 8-VSONP(5x6) 批号: 23+ 数量: 128000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhm...
封装: VSONP-8 产品种类: MOS场效应管 数量: 8525040 批号: 新年份 鸿胜芯只做原装正品: 报价效率快,准,高 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。
封装/规格:VSONP-8 产品类型:MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD18504Q5A 描述:漏源电压(VDSS) 40V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A 栅源极阈值电压 2.4V 流明 250UA 漏源导通电阻 6.6MΩ 流明 17A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.1W 类型 N沟道 N沟道 40V...
封装: VSONP-8 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 15.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: ...
封装: 8-VSONP(5x6) 批号: 23+ 数量: 128000 制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: VSONP-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 161 A Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms Vgs - 栅极-源极...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 CSD25402Q3A、 TI、 德州仪器、 封装VSONP、 8、 MOS场效应管、 IC芯片 商品图片 商品参数 品牌: TI/德州仪器 产地: 德州 QQ: 1039331715 可售卖地: 全国 产品类型: 现货 特色服务: 一站式配单 ROHS...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 AC-DC芯片 商品图片 商品参数 封装: VSONP-8 品牌: TI/德州仪器 包装: 2500 批号: 21+ 特色服务: 优势 数量: 15000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规...
封装/规格:VSONP-8 产品类型: MOS(场效应三极管) 品牌/产地:TI(德州仪器) 三极管类型:NPN 型号PN:CSD17578Q3A 描述:漏源电压(VDSS) 30V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 1.9V 流明 250UA 漏源导通电阻 7.3MΩ 流明 10A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 3.2W 类型 N沟道 N沟道 30V ...