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型号: VND3NV04TR-E 封装: TO-252-3 (DPAK) 批号: 21+ 数量: 7500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 门驱动器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-2 激励器数量: 1 Driver 输出端数量: 1 Output 输出电流: 3.5 A 上升时间: 250 ns 下降时间: 250 ns 工作电源电流: 100 uA ...
VND3NV04TR-E 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 输出接口数 1 输出电流 7 A 供电电流 0.1 mA 漏源极电阻 120 mΩ 极性 N-Channel 耗散功率 35 W 漏源击穿电压 40.0 V 连续漏极电流(Ids) 3.50 A 上升时间 250 ns 输出电流(Max) ...
价格 ¥ 4.00 起订数 2000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VND3NV04TR-E、 onsemi(安森美) 商品图片 商品参数 品牌: onsemi(安森美) 批号: 24+ 数量: 8300 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作...
VND3NV04TR-E 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyfutureverical 等渠道进行代购。 VND3NV04TR-E 价格参考￥ 8.6562 。 ST VND3NV04TR-E 封装/规格: TO252, IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK。你可以下载 VND3NV04TR-E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 电...
型号 VND3NV04TR-E PDF资料 电源管理芯片-电源负载开关(路径管理)-VND3NV04TR-E-ST/意法半导体-TO-252-2.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准...
类似零件编号 - VND3NV04TR-E 制造商部件名数据表功能描述 STMicroelectronicsVND3NV04 418Kb/21P?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET VND3NV04-1 418Kb/21P?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET More results 类似说明 - VND3NV04TR-E ...
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VND3NV04TR-E 价格参考￥ 6.05195 。 ST VND3NV04TR-E 封装/规格: TO252, IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK。你可以下载 VND3NV04TR-E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有电源开关/负载开关详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...
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