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型号 VND3NV04TR-E 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
价格 ¥ 4.00 起订数 2000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VND3NV04TR-E、 onsemi(安森美) 商品图片 商品参数 品牌: onsemi(安森美) 批号: 24+ 数量: 8300 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作...
VND3NV04TR-E 功率电子开关 VND3NV04TR E DPAK 功率电子开关 已售少于100 ￥25.68点击查看更多配送: 广东深圳至 北京东城 快递: 8.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 无品牌/无注册商标 图文详情 0 本店推荐 BZT52B14 ...
VND3NV04TR-E 价格参考￥ 0.51 。 ST VND3NV04TR-E 封装/规格: TO252, IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK。你可以下载 VND3NV04TR-E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 电源开关/负载开关 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: VND3NV04TR-E...
型号 VND3NV04TR-E 深圳市乐思电子有限公司 : 主要从事回收买卖芯片,IC,电子元器件.数量多金额大可全国上门.接受香港,日本,德国等地方验货交货. 主营业务1:回收IC芯片,电子元器件;厂家及个人积压库存电子料;海关罚没电子料。 主营业务2:专业ST(意法) STM全系列回收买卖; TI(德州仪器)TPS,TLV,BQ,TMS320,...
型号 VND3NV04TR-E PDF资料 电源管理芯片-电源负载开关(路径管理)-VND3NV04TR-E-ST/意法半导体-TO-252-2.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准...
VND3NV04TR-E 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 输出接口数 1 输出电流 7 A 供电电流 0.1 mA 漏源极电阻 120 mΩ 极性 N-Channel 耗散功率 35 W 漏源击穿电压 40.0 V 连续漏极电流(Ids) 3.50 A 上升时间 250 ns 输出电流(Max) ...
VND3NV04TR-E量产中 EAR99 产品描述: DPAK/OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 标准包装:1 数据手册: -- 规格参数 产品特性 技术文档 产品评论 Output Current: 3.5 A Product: MOSFET Gate Drivers Packaging: Reel Maximum Turn-Off Delay Time: 450 ns Series: VND3NV04 Factory Pack ...
VND3NV04TR-E 价格参考￥ 6.09432 。 ST VND3NV04TR-E 封装/规格: TO252, IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK。你可以下载 VND3NV04TR-E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有电源开关/负载开关详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...