VGRTF VGS VGSA VGSB VGSC VGSCG VGSD VGsdp VGSE VGSF VGSG VGSH VGSI VGSL VGSM VGSN VGSO VGSOH VGSOM VGSP VGSQ VGSR VGSSE VGSSP VGST VGSU VGSW ▼ Full browser ? ▲ VGOF VGP VGPA VGPB VGPC VGPD VGPG VGPI VGPL VGPN VGPO VGPR VGPS VGPU VGQ VGQF VGR VGR VGR-1 VGR...
G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗？2.我们注意到全桥驱动需要...
在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。
VGS（th）--th就是threshold门限的意思，也就是VIN要大于门限电压。大于0还不足以使沟道导通哦。就像一扇门，打来一点缝隙，还不足以让你顺利通过一个道理。
NMOS中开启条件是VGS>Vth 另外知乎适合扯淡，不适合讨论具体电路参数和计算问题，和同学同事老师讨论更为...
N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)| 2、VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
钢盔 vs Bromo赛点局潇洒哥五杀将比赛拖入加时 01:21 钢盔惜败Bromo止步上海MajorRMR中国预选八强,captainMo:这样输有点难受 10:37 马西西ob莱昂凯看比赛欲送魔法书,刚充完就找到流;莱昂凯问马西西谁参加快乐向前冲:第一关都过不去,直接跳水就结束了 02:28 白菜潇洒哥激情对喷2.0,xiaosaGe:白菜说是要回天禄,过...
当下管关断，那么VS就是浮地的，此时自举二极管反偏，驱动电压Vg大约等于VCC电压（VCC相对与VS的电压）...
但是这两种判断条件下的Vth在数值上是不相等的。阈值电压Vth是一个与源极电压Vs和衬底电压Vb都有关的...