导通条件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压,不需要去关心G、D之间的电压关系(只要没有达到击穿电压)。另外S极不一定需要接地,只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth,MOS管依然能够起到一个开关作用。 需要注意的事项: (1)注意IO口的最大驱动峰值电流,不同芯片的IO口驱动能力不一样。
应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 MOS管的导通条件 MOS管的开关条件: N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)| 2、VGS(最大栅源电压...
在场效应管之中,Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压,就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以,Vgs的电压能够控制S-D电导,电压越高,电导越大。并且Vsd越高,Isd也就越高。
Ids=0.因此R上的电流=0,所以R上的压降=0,所以Vs=Vout=0.所以Vgs=Vg=Vin.
VGS(th)--th就是threshold门限的意思,也就是VIN要大于门限电压。大于0还不足以使沟道导通哦。就像一扇门,打来一点缝隙,还不足以让你顺利通过一个道理。
G极是栅极,S是源极,D是漏极导通时是Vs=Vd,而不是,Vg=Vs。是可以继续导通的。
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗?2.我们注意到全桥驱动需要...
VG - 抓人 Gank组合按钮 组合结果 1 "Gank left lane!" 左路抓人! 2 "Gank middle lane!" 中路抓人! 3 "Gank right lane!" 右路抓人! G "Gank!" 去抓人! VH - 帮助 Help组合按钮 组合结果 1 "Help left lane!" 帮助左路! 2 "Help middle lane!" 帮助中路! 3 "Help right lane!" 帮助右路!
1第5章场效应管放大电路21.场效应管的分类;2.结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的结构、工作原理、输出特性曲线和转移特性曲线,以及各参数;3.场效应管放大电路的结构及分析方法;4.场效应管的特点(主要与BJT相比较而言)本章主要内容3第5章场效应管放大电路场效应管【FET——FieldEffect...
第11题 试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5 mA,VDS=-1.5 V,VG 试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5 mA,VDS=-1.5 V,VG=2 V。已知μpCoxW/(2l)=0.5 mA/V2,VGS(th)=-1 V,设λ=0。 点击查看答案 账号...