VGS（th）--th就是threshold门限的意思，也就是VIN要大于门限电压。大于0还不足以使沟道导通哦。就像一扇门，打来一点缝隙，还不足以让你顺利通过一个道理。
在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。
VGRTF VGS VGSA VGSB VGSC VGSCG VGSD VGsdp VGSE VGSF VGSG VGSH VGSI VGSL VGSM VGSN VGSO VGSOH VGSOM VGSP VGSQ VGSR VGSSE VGSSP VGST VGSU VGSW ▼ Full browser ? ▲ VGOF VGP VGPA VGPB VGPC VGPD VGPG VGPI VGPL VGPN VGPO VGPR VGPS VGPU VGQ VGQF VGR VGR VGR-1 VGR...
G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。
P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)| 2、VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。 3、RDS(on)(漏源电阻) ...
7V，FET处于cut off，Ids=0.因此R上的电流=0，所以R上的压降=0，所以Vs=Vout=0.所以Vgs=Vg=Vin...
Vgs = Vg _ Vs =_4 - - Id =Id_4V 则Id 十pCox W Vgs -Vgs th 2 =0.08叫2 亿 -4?7-1.5 2 = 0.08 ID -2.5 2 ⏺ 由于Idi = 17.35mA时 Vs =-1 dRs = -17.135V不符合题意,舍去。 I dq = 0.365mA Vgsq “D -4 =0.365 -4 - -3.636V ...
VG - 抓人 Gank组合按钮 组合结果 1 "Gank left lane!" 左路抓人! 2 "Gank middle lane!" 中路抓人! 3 "Gank right lane!" 右路抓人! G "Gank!" 去抓人! VH - 帮助 Help组合按钮 组合结果 1 "Help left lane!" 帮助左路! 2 "Help middle lane!" 帮助中路! 3 "Help right lane!" 帮助右路!
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS＞0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗？2.我们注意到全桥驱动需要...
当下管关断，那么VS就是浮地的，此时自举二极管反偏，驱动电压Vg大约等于VCC电压（VCC相对与VS的电压）...