也就是说此时PMOS是部分导通状态，且DS之间有0.44V的压降；当单片机给G极为低时，实际测量G极电压为...
PMOS管导通的情况，跟NMOS管相反。因为有寄生二极管存在，方向是D指向S的
在PMOS晶体管的饱和区,VGS与VDS之间的关系可以通过上述电流公式来描述。当VGS保持不变时,随着VDS的增加,电流I会逐渐减小。这是因为随着VDS的增加,沟道电场的分布发生变化,导致沟道的有效宽度减小,从而降低了电流。 影响PMOS晶体管饱和条件的因素 5.1 阈值电压Vth 阈值电压是PMOS晶体管进入饱和区的关键参数。Vth的大小...
1. 增强型NMOS管 对于增强型NMOS管,VGS通常是一个大于0的电压。插件型NMOS管的VGS一般是12V左右,而贴片型NMOS管的VGS可以做到5V。 2. 耗尽型NMOS管 耗尽型NMOS管的开启电压与增强型NMOS管相近,但其关断电压是一个负电压,实际使用中较少。 3. PMOS管 对于PMOS管,其VGS电压与NMOS管相反。当VGS小于...
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是由于PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。如图二所示。
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PMOS:- 电源极性正常接入时。Q2的寄生二极管导通,右侧S极的电压为 (24 - 0.7)=23.3V。G极电压为 R9、R10的分压 24 x (200/(100+200))= 16V。 于是Q2的 Vgs = 16 - 23.3 = -7.3V。 大于AO3401的门极导通阀限电压 -1.3V,MOS管 DS极导通。
PMOS集成电路适合在低速、低频领域内应用，采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V，通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到...
——我们从“MOS管原理”章节知道寄生二极管对于MOS管来说是不可避免的,所以它必然会导致MOS管某一方向的导通性,例如NMOS寄生二极管方向是:S->D;PMOS寄生二极管方向就是:D->S;在实际应用中,必须注意到这一点,否则MOS管将变成二极管,失去它应有的“可控开关”作用。
1、如下图：增强型PMOS管G极接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S极电压高于0v（至少零点几伏）的...