PMOS导通条件需要满足Vgs小于0,且VS是高电平。具体来说,就是把PMOS的S级靠近电源端,这样VG小于电源就能导通。如果S不靠近电源,而是D接地的话,当PMOS导通S就会接地,无法再满足导通条件。
电源开关选择 PMOS (上图Q1) 的原因:因为 PMOS 是 Vgs < 0 时,D、S 之间导通,而 PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压,比如电池的 3.7V~4.2V,这样只需栅极 (G) 的电压一定范围小于源极的电压,PMOS 就可以导通,经常使用如上图,通过一个 NMOS 下拉到地,打开 PMOS。而如果采用 NMOS 作为电压的开...
一、PMOS管导通电路原理 PMOS管是一种P型金属氧化物半导体管,其导通需要调整其栅极和源极之间的电压。当栅极电压高于源极电压时,PMOS管处于截止状态;当栅极电压低于源极电压时,PMOS管处于导通状态。因此,当Vgs小于0时,PMOS管导通。 二、PMOS管导通电路应用 1. PMOS管作为开关 在电路中,...
因为PMOS 是 Vgs<0 时,D、S 之间导通,而 PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压,比如电池的 3.7V~4.2V,这样只需栅极 (G) 的电压一定范围小于源极的电压,PMOS 就可以导通,经常使用如上图,通过一个 NMOS 下拉到地,打开 PMOS。 而如果采用 NMOS 作为电压的开关的话,困难就比较大,因为 NMOS 的开启电...
在非饱和区,VDS小于体效应电压,即VDS < VB。此时,沟道的电场分布不均匀,导致电流饱和。随着VDS的增加,电流会逐渐减小。 PMOS晶体管的饱和条件 PMOS晶体管进入饱和区的条件是VGS ≥ VS - VB。在饱和区,漏极和源极之间的电流不再随着VGS的增加而增加,而是受到VDS的控制。此时,PMOS晶体管的电流可以表示为: ...
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 2.MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做...
使用PMOS管当上管时，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。所以，PMOS管的主回路电流方向是S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5-10V（S电位比G电位高）。NMOS管 NMOS管也是压控型器件，其栅极（G极）与源极（S极）之间的电压VGS大于...
vgs增加时吸引到p衬底表面层的电子就增多当vgs达到某一数值时这些电子在栅极附近的p衬底表面便形成一个n型薄层且与两个n区相连通在漏源极间形成n型导电沟道其导电类型与p衬底相反故又称为反型层如图c所示 NMOS和PMOS区别详解及全面介绍两者的基本知识
因为PMOS 是 Vgs < 0 时,D、S 之间导通,而 PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压,比如电池的 3.7V~4.2V,这样只需栅极 (G) 的电压一定范围小于源极的电压,PMOS 就可以导通,经常使用如上图,通过一个 NMOS 下拉到地,打开 PMOS。 而如果采用 NMOS 作为电压的开关的话,困难就比较大,因为 NMOS 的开...