由上图看出,在单向三态门中,当E为高电平时,B与A相连,数据流向是A-->B;而当E为低电平时,B的输出为高阻态,相当于B侧电路与A侧电路之间的连线断开,此时可以从外部向B驱动信号,实现相反方向的数据流向(B-->A)。 2.2.1 双向三态门 当信号线存在双向IO时,可以有两个三态门来控制,一个控制输出,一个控制输...
如果没有驱动元件连接到 wire 型变量,缺省值一般为 "Z"。(高阻态)举例如下: wire interrupt ; wire flag1, flag2 ; wire gnd = 1'b0 ; 线网型还有其他数据类型,包括 wand,wor,wri,triand,trior,trireg 等,不常用。 寄存器(reg) 寄存器(reg)用来表示存储单元,它会保持数据原有的值,直到被改写。 reg...
百度试题 题目在Verilog HDL中,高阻态是用( )表示。 A.a或AB.x或XC.b或BD.z或Z相关知识点: 试题来源: 解析 D 反馈 收藏
wire 类型表示硬件单元之间的物理连线,由其连接的器件输出端连续驱动。如果没有驱动元件连接到 wire 型变量,缺省值一般为 “Z”。(高阻态)举例如下: wire interrupt ;wire flag1, flag2 ;wire gnd = 1'b0 ; 线网型还有其他数据类型,包括 wand,wor,wri,triand,trior,trireg 等,不常用。
006.画出CMOS三态缓冲器的电路原理图,解释一下高阻态。 很多东西去搜索还是应该直接用英文,用Google或者Bing国际版,百度真是惨不忍睹。 PMOS衬底接Vdd,CMOS衬底解Gnd,以下为简化,未画衬底。 图1,三态非门,当~EN为1时,最上面的PMOS和最下面的NMOS管截止,所以输出为高阻态,反之输出为~A,同理可推理出图2,EN...
006.画出CMOS三态缓冲器的电路原理图,解释一下高阻态。 很多东西去搜索还是应该直接用英文,用Google或者Bing国际版,百度真是惨不忍睹。 PMOS衬底接Vdd,CMOS衬底解Gnd,以下为简化,未画衬底。 图1,三态非门,当~EN为1时,最上面的PMOS和最下面的NMOS管截止,所以输出为高阻态,反之输出为~A,同理可推理出图2,EN...
逻辑1:表示高电平,也就是对应我们电路的 VCC; 逻辑X:表示未知,有可能是高电平,也有可能是低电平; 逻辑Z:表示高阻态,外部没有激励信号是一个悬空状态。 如下图所示: 2.Verilog 的标识符 定义: 标识符(identifier)用于定义模块名、端口名和信号名等。Verilog 的标识符可以是任意一组字母、数字、$和_(下划线)...
不考虑高阻值z 和 不定值x 例如: 上图使用casez,定义了一个8位的寄存器sel,里面的值位1100_0011。第一个判断条件:8'b1100_zzzz表示为,低四位高阻态不用比较,只要高四位符合则认为符合条件。 同理,若上图使用casex,第二判断条件:8'b1100_xxzz表示为,低四位的前面两位不用比较,后面两位需要比较。
//对于data_reg,可以通过组合逻辑或者时序逻辑根据data_in对其赋值.通过控制link_data的高低电平,从而设置data_inout是输出数据还是处于高阻态,如果处于高阻态,则此时当作输入端口使用.link_data可以通过相关电路来控制. 2 编写测试模块时,对于inout类型的端口,需要定义成wire类型变量,而其它输入端口都定义成reg类型,...