综上所述,Vgs和Vds在MOSFET中起着至关重要的作用,它们之间的关系决定了MOSFET的导通与截止状态以及工作区域。在设计和应用MOSFET时,需要深入理解这些关系并充分考虑各种因素以实现最佳的性能和效果。
栅压vgs和vds的关系 栅压Vgs是场效应管的控制电压,它决定了场效应管的导通或截止。当Vgs小于场效应管的阈值电压时,场效应管处于截止状态,没有漏电流,Vds=0;当Vgs大于或等于场效应管的阈值电压时,场效应管处于导通状态,有漏电流流过,此时Vds越大,漏电流就越大,但是场效应管的漏电流是通过Vgs来控制的。 当...
首先是Vgs>Vth,将衬底中的空穴被向下排斥,衬底中的少子(电子)被向上吸引,形成反型层,产生N型导电沟道。接着是Vds<=Vgs-Vth,由于Vds的存在,沟道会变成梯度,两端的宽度不均匀。满足这两个条件,MOS管才处于可变电阻区。 这上面的过程描述的有些简单粗暴,如果要考虑“Rdson和Vgs的关系”,这还不够,需要把上述过程...
综上所述,Vgs和Vds在MOSFET中起着至关重要的作用,它们之间的关系决定了MOSFET的导通与截止状态以及工作区域。在设计和应用MOSFET时,需要深入理解这些关系并充分考虑各种因素以实现最佳的性能和效果。
这上面的过程描述的有些简单粗暴,如果要考虑“Rdson和Vgs的关系”,这还不够,需要把上述过程做进一步细化。 Vds比较小的时候 当外部施加的Vds还比较小时,比如处于mV级别,此时的Vds电压会在沟道内产生电流id。该电流由沟道内的自由电子构成,id的大小就取决于沟道内自由电子的密度,而此时,电子密度是取决于Vgs的大小。