AC-DC开关电源测量Vds电压推荐使用100MHz以上的示波器系统带宽,低压 DC-DC 开关电源测量Vds电压推荐使用350MHz以上的示波器系统带宽 。 ②采样率要满足带宽需求:示波器实际采样率要大于要求带宽的4倍,如果采样率达不到测试所需带宽的4倍以上,同样会使测试结果变小,因此进行Vds电压测试时要合适设置示波器水平时基。 ③...
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
在电源设计中,MOS管作为开关元件,其导通和截止状态的控制需要通过栅源电压VGS和漏源电压VDS来实现。VGS是栅极与源极之间的电压,决定了MOS管的导通和截止状态;VDS是漏极与源极之间的电压,决定了MOS管导通时的电流大小和方向。 当VGS大于一定的阈值电压时,MOS管开始导通,形成导电通道,使得电流可以在漏极和源极之间...
VGS和VDS是MOS管两个重要的电压参数。VGS指的是栅源电压(Gate-Source Voltage),VDS指的是漏极源极电压(Drain-Source Voltage)。 三、MOS管VGS短路 当VGS短路时,表示栅源之间的电压为0V。这种情况下,栅极与源极相连,输入信号无法对MOS管的栅极产生控制作用,失去了场效应管的特性。因此,MOS管无法工作,其输出电压...
MOS管的VGS(栅极-源极电压)和VDS(漏极-源极电压)波形对其性能有重要影响。本文将重点讨论MOS管的VGS和VDS波形特点及其对MOS管工作状态的影响。 二、MOS管的VGS波形分析 1. VGS波形的定义 VGS波形是指MOS管栅极和源极之间的电压随时间的变化曲线。在MOS管工作中,VGS波形的变化会对MOS管的导通和截止状态产生重要...
VDS:漏极-源极电压,即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压(最大承受)。VGS:栅极-源极电压,即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压(最大承受)。ID:漏极电流(漏极可承受的持续电流值),即MOSFET工作时从漏极流出的电流,如果流过的电流超过该值,会产生击穿的风险。IDM:最大脉冲漏极电流(源漏之间可承受...
VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。
这上面的过程描述的有些简单粗暴,如果要考虑“Rdson和Vgs的关系”,这还不够,需要把上述过程做进一步细化。 Vds比较小的时候 当外部施加的Vds还比较小时,比如处于mV级别,此时的Vds电压会在沟道内产生电流id。该电流由沟道内的自由电子构成,id的大小就取决于沟道内自由电子的密度,而此时,电子密度是取决于Vgs的大小。
当 VGS 达到一定值时(称为阈值电压),MOS 管开始导电,此时的 VGS 称为阈值电压。当 VDS 增加时,MOS 管的导电能力增强,即电流放大系数增加。 然而,当 MOS 管的 VGS 和 VDS 发生短路时,可能会导致严重的电路故障。短路会使得电流急剧增大,甚至可能损坏 MOS 管和其他电路元件。为了避免这种情况的发生,我们需要...
Vds = Vin + Vf*n 在副边能量消耗消耗完之后,副边不再导通,也不再折射能量,此时原边Vds原则上...