所以一般可以简单测试一下不同ENCUT下计算出的单点能(执行电子自洽就可以在OUTCAR中找到),只要基本收敛了,就认为足够了。 PREC会设置包含ENCUT和傅里叶变换网格密度等的默认精度,一般设置Normal或者Accurate都可以,详细的参考VASPwiki教程。 ISYM是对于对称性的设置,尤其是对于固体(晶体)的计算十分重要。它有从-1到3...
输入:dos2unixoptencut.sh bashoptencut.sh (三)判别标准: 计算完成后得到 comment 文件,它列出了在每个 ENCUT时计算得到的相应的总能,只要总能变化在 0.001 eV 左右就足够了。 三、选择合适的 k 点数目: (一)输入文件: 1、INCAR 文件: SYSTEM = Cu ENCUT = 450.00 eV ISTART = 0; ICHARG = 2 ISMEA...
PREC是控制计算精度最重要的一个参数,它决定了ENCUT、FFT网格大小、和ROPT的默认值。可能的取值为Low,Medium,High,Normal,Accurate(后两个只能在4.5以上版本中才起作用)。在一般的计算时推荐:4.5版本中用Normal,4.4版本中用Medium。当要提高力和Stresstensor的计算精度时,可以采用High或Accurate,并手动设置ENCUT的值。
1、材料体性质计算: 本步是为了确定表面计算时所需的一些重要参数:ENCUT、SIGMA、晶格参数。 在计算前,要明确:何种PP;ENCUT;KPOINTS ;SIGMA;PREC;EX-CO,这其实是准备proper input files。 a. 何种PP 选择的PP能使计算得到的单个原子能量值在1meV~10meV之间。 所求得的单原子能量(对称性破缺时)可用来提高结合...
能带结构的计算步骤主要有三个。与其他的计算任务一样，想要计算能带结构就必须对结构进行优化，这是第一步，结构优化的方法在前面已经讲过，这里不再细说。第二步需要进行静态自洽计算，这里主要强调一下INCAR的设置问题。PREC、EDIFF、ENCUT根据自己的计算需求来定，ISTART= 0。ISMEAR的设置需要注意一下，对于半导体...
9.误差与结构无关,因此可以使用大的基组和小的基组分别计算一次。从平衡结构开始,采用高截断能(ENCUT=550)。应力张量应为零。 然后使用默认截断能。现在的应力为 -43 kBar。这样就可以估算出基组不完备可能造成的误差。(可以通过在INCAR文件中设置 PSTRESS=-43!Pulay stress=-43 kB ...
检验结构是否合理尝试选取较小体系计算或者降低计算精度；对于大体系用IALGO=48，可以设置ALGO=very fast or fast；测试ENCUT和k点设置，确定其合理性；可以尝试做多次优化：依次提高收敛精度，逐步优化。减少k点数目，待结构优化好后，增加ｋ点到你需要的精度，接着优化（读取前面得到的WAVECAR）并行效率：进程数增加...
VASP这个表格里的意思是默认参数，如果你PREC是accurate同时不设置ENCUT，那VASP就默认ENCUT是ENMAX的值。1...
1.ENCUT(截断能) ENCUT是用于计算波函数的能量截断值。它控制VASP计算中所使用的平面波基组的能量截断。较高的截断能可提高计算结果的准确性,但同时也会增加计算的时间和资源消耗。通常,ENCUT的值应在200到800eV之间选择,并根据体系的特点进行调整。 2.ISMEAR(态的展宽) ISMEAR参数用于控制态的展宽,即Gaussian函数...
一般情况下使用POTCAR中给出的ENCUT和ENAUG默认值都是没问题。但是在计算多组分体相体系的能量差时(如Co –CoSi – Si)，分别使用默认的ENCUT去计算纯Co和纯Si的能量时会出现不同的结果，所以在进行此类计算时建议使用相同的ENCUT和ENAUG来进行计算(取POTCAR中最大值)。还有一种情况就是计算表面吸附能的时候。我...