从收敛标准来看,最后Si的K点取12 12 12 。 ENCUT测试 在计算时需要准备四个输入文件KPOINTS POSCAR INCAR POTCAR 以及一个执行程序,和KPOINTS一样,ENCUT是通过改变INCAR 中的参数ENCUT实现,如图通过输入200 250 300 350等等数据,每一个参数都需要提交任务,最后OUTCAR中得到每个参数的能量值。 INCAR 发布...
输入:dos2unixoptencut.sh bashoptencut.sh (三)判别标准: 计算完成后得到 comment 文件,它列出了在每个 ENCUT时计算得到的相应的总能,只要总能变化在 0.001 eV 左右就足够了。 三、选择合适的 k 点数目: (一)输入文件: 1、INCAR 文件: SYSTEM = Cu ENCUT = 450.00 eV ISTART = 0; ICHARG = 2 ISMEA...
（4） INCAR,选 IOPT。写 注意， 最好忘记 vasp 自带的 NEB， 而全部改用包含 vtstool 的 vasp. IBRION=3,POTIM=0 关闭 vasp 自带的 NEB 功能。（5）过渡态计算第一个离子步最耗时，也最容易出问题，也是模型设计合理性检验的首要环节。所以可以选小一些的 ENCUT，可以不用考虑自旋(ISPIN=1)，也不用考虑...
检验结构是否合理尝试选取较小体系计算或者降低计算精度；对于大体系用IALGO=48，可以设置ALGO=very fast or fast；测试ENCUT和k点设置，确定其合理性；可以尝试做多次优化：依次提高收敛精度，逐步优化。减少k点数目，待结构优化好后，增加ｋ点到你需要的精度，接着优化（读取前面得到的WAVECAR）并行效率：进程数增加...
一、检验赝势的好坏：通常，我们通过计算单个原子（如铜原子）来检验赝势的准确性。需要确保计算的参数设置满足一定的要求，如对称性和自旋极化采用默认值，ENCUT设置足够大，原胞大小一般设置为15 Å，对于某些元素可能需要更小一些。具体参数设置包括INCAR文件中的SYSTEM设置、ENCUT值、NELMDL、ISMEAR、...
PREC、EDIFF、ENCUT根据自己的计算需求来定，ISTART= 0。ISMEAR的设置需要注意一下，对于半导体和绝缘体设置为0，对于金属设置为1，同时SIGMA设置一个合适的值，笔者一般取SIGMA = 0.01进行计算。如果不知道如何取SIGMA值，可以查找侯柱峰老师的测试脚本进行测试。如果需要获得芯能级、真空能级，则需要再INCAR中添加一...
3. 计算能量差：ΔE = E(构型A) - E(构型B)六、注意事项 1. 结构必须预先优化：单点能计算不修正原子位置，未优化的结构会导致能量误差！2. 参数一致性：对比不同体系能量时，确保ENCUT、KPOINTS、赝势完全相同。3. 真空层处理：表面/分子体系需添加足够真空层（≥15 Å），避免周期性镜像干扰。找...
VASP计算前的各种测试BatchDoc Word文档批量处理工具 (计算前的)验证 一、检验赝势的好坏: (一)方法:对单个原子进行计算; (二)要求:1、对称性和自旋极化均采用默认值; 2、ENCUT要足够大; 3、原胞的大小要足够大,一般设置为15 ?足矣,对某些元素还可以取得更小一些。 (三)以计算单个Fe原子为例:...
1、(计算前的)验证一、检验赝势的好坏:(一)方法:对单个原子进行计算;(二)要求:1、对称性和自旋极化均采用默认值;2、ENCUT要足够大;3、原胞的大小要足够大,一般设置为15 Å足矣,对某些元素还可以取得更小一些。(三)以计算单个Fe原子为例:1、INCAR文件:SYSTEM = Fe atomENCUT = 450.00 eVNELMDL = 5 !
取POTCAR中最大值)。还有一种情况就是计算表面吸附能的时候。我们分别需要计算一个孤立分子、一个单一的表面以及吸附有分子的表面，这些计算都应该保持ENCUT和ENAUG一致。以上便是今天教程的所有内容，大家在进行计算的时候可以多测试NBANDS、k点采样以及ENCUT值，一次选择出最优的参数设置。