第六代V-NAND闪存两大优势 在性能方面，三星通过在电路设计上进行速度优化，使得全新第六代V-NAND闪存拥有更快的数据传输性能，根据测算，相较于第五代闪存，其写入操作时间少于450微秒（μs），读取操作的时间少于45μs，性能提高了10%以上，而功耗却降低了15%以上。在实现了容量倍增和性能提升后，三星第六代V-...
即在闪存内部建立100多个层组成的导电晶片堆栈,从上到下垂直穿孔,形成均匀的三维电荷阱闪存(CTF)单元,让第六代V-NAND颗粒内部拥有1XX层的堆叠,相较于应用在970EVO Plus上的第五代9X层,有了一个量级的提升,这也意味着在同等数量的die下,三星980PRO内置的闪存颗粒能够存储更多的数据。
从2013年初代V-NAND首发,直到今年2020年,历经7年,第六代三星V-NAND颗粒也终于问世,从7年的研发路线也可以看出,三星品牌存储几乎是一年一脚印,不断在V-NAND技术上保证技术优势,提升闪存产品的绝对性能和存储容量。 02第六代V-NAND颗粒的技术创新 那么,应用于三星980PRO上的全新第六代V-NAND技术又有哪些技术创新...
据业内消息,三星将在下月发布全新第九代 V-NAND 技术,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数,小超美光和海力士等竞争对手。据了解,三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层,目前第八代是236层,更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现。
小猿玩机|三星Pro Plus SD存储卡是一款性能出色的存储卡,具有多项显著优势,采用了三星原厂高品质V-NAND闪存技术,确保了数据存储的高速度和稳定性 95 0 2024-01-17 20:23:44 您当前的浏览器不支持 HTML5 播放器 请更换浏览器再试试哦~点赞 投币 收藏 分享 AI视频总结 测试版 记笔记 ...
采用最新V-NAND!三星推出990 PRO系列SSD 8月24日,三星电子宣布推出990 PRO系列SSD,这是该公司基于PCIe4.0的高性能NVMe SSD。 该款SSD具有超快速度和超高能效的特点,针对图形要求高的游戏和其他密集型任务(包括3D渲染、4K视频编辑和数据分析)进行优化。
这款990 PRO 4TB采用了三星的第8代V-NAND技术和经改进的自研控制器，使其性能接近PCIe 4.0的理论上限。在顺序读取速度方面，它可以达到每秒7450 MB / S的速度，而写入速度则高达6900 MB / S。这意味着用户可以在很短的时间内传输大量的数据，大大提高了工作效率。除了顺序读写速度之外，990 PRO 4TB还大大...
值得一提的是,尽管Pro型号配备了DDR4 RAM缓存,但Evo型号似乎并未配备缓存。不过这两款SSD定位有差距:例如Pro版本还使用了更强的V-NAND3bit MLC闪存。 至于产品性能方面,三星990 EVO搭载了自研主控芯片,并拥有长达1500000小时的MTBF(平均故障间隔时间)。此外,它还支持三星魔术师固态硬盘管理软件。
三星电子推出全新990 PRO 系列4TB SSD。990 PRO系列是高性能 PCIe 4.0 SSD,采用三星第八代 V-NAND (V8) 增强型专有控制器,顺序读取速度高达 7,450 MB/s,写入速度高达 6,900MB/s,可提供高达 1,600K 和 1,550K IOPS的随机读取和写入速度。
三星在3D V-NAND上面采用的依然是MLC用MLC,TLC用TLC的方案,早期型850PRO用模拟MLC可能只是权宜之计。而Intel-Micron则是只造一种die,封入的控制芯片是2bpc的就是MLC,3bpc的就是TLC。当然这并不保证三星现在或者将来不会采用像IM一样的方案。另外二者的制作工艺也不同,三星用的是电子陷阱(CT),IM用的依旧是...