04. Origin处理紫外可见光漫反射(Uv-vis)数据处理及禁带宽度的计算 梦想家1106 15.1万 127 紫外数据处理 21化学杨明帅 6934 1 固体紫外吸收及半导体带隙的计算 木圭无聊君 4.7万 8 光电化学:如何利用紫外光谱数据算出材料的直接带隙和间接带隙 杨肉泡馍i 3.3万 22 ...
切线法 基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系,其中λg单位为nm,Eg单位为eV,认为半导体的带边波长(λg)决定于禁带宽度Eg。因此,可以通过求取λg来得到Eg。 具体操作: 1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极值点:分析An...
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1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
怎么用UV-VIS测得的透过率光谱计算光学带隙或者说是禁带宽度?求指教啊,谢谢各位
UV-vis中计算公式是 , 现我要计算CdTe的带隙能,其中CdTe带隙常数A 值是多少?急!!请各位大神帮...
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。
怎么用UV-VIS测得的透过率光谱计算光学带隙或者说是禁带宽度?求指教啊,谢谢各位
1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极值点:分析Analysis - 数学Mathematics - 微分Differentiate对紫外吸收光谱图求一次微分,并找到极值点,记录下来; 3.在紫外吸收光谱图中,过极值点作切线,根据切线方程即可求出λg。也可以读取...