【数据处理】如何通过紫外可见吸收光谱(UV-Vis)的数据计算材料的带隙, 视频播放量 5579、弹幕量 0、点赞数 216、投硬币枚数 120、收藏人数 752、转发人数 79, 视频作者 Big_Puff, 作者简介 我挥一挥衣袖,不带走一片云彩。,相关视频:04. Origin处理紫外可见光漫反射(Uv
研究生论文干货:光催化电化学sci论文中必会的相对能带结构图基础画法:紫外可见吸收光谱tauc法计算带隙,xps价带谱测价带顶位置。 致我亲爱的二氧化钛 1.6万 2 origin 处理紫外分光光度计 当年明月燶 7663 3 紫外-可见漫反射(UV-vis),Tauc曲线,带隙Eg 红呋绿喃 3.3万 46 ...
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
因此,可以通过求取λg来得到Eg。 具体操作: 1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极值点:分析Analysis - 数学Mathematics - 微分Differentiate对紫外吸收光谱图求一次微分,并找到极值点,记录下来; 3.在紫外吸收光谱图中,过极值...
知乎,中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台,于 2011 年 1 月正式上线,以「让人们更好的分享知识、经验和见解,找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容,聚集了中文互联网科技、
吸收带边应该与PL出峰位置相差不多哦 2.根据切线法求带隙:首先添加两列,设置C列为1240除以A列,D列为(B*C)^2,将C列设置为新的X轴,D作Y轴,绘制新的折线图,然后在最陡峭的地方,绘制切线,如图所示。在半导体中,带隙越小,吸收的光子应该越多,相应的电池器件电流应该越大。
hν-Eg)^n 曲线，然后用切线与x轴交点就是带隙宽度。但是，个人认为，这中可以用，但方法不好，
刚刚看文献发现Si的带隙在1.12eV，这个切线的与x轴的截距是衬底Si的吗？
hv - eg)n/2,direct transition (n = 1) or indirect transition (n =4)你也说了是间接带隙...