3年内 数量: X0.28674(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 2.8674 品牌:UTC(友顺) 型号:UT3N06G-AE3-R 商品编号:DS0143181 封装规格:SOT-23 商品描述:MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23 数据手册 EDA模型 查看详情 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号UT3N06G-AE3-R-VB 商品编号C7463651 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.047533克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 4A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 UTC、 友顺、 UT3N06G、 AE3、 R、 MOS管、 场效应管、 晶体管 商品图片 商品参数 品牌: UTC(友顺) 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3A 功率(Pd): 350mW 导通电阻: 90mΩ@10V,3A 阈值电压(...
UT3N06G-AE3-R由UTC(友顺)设计生产,立创商城现货销售。UT3N06G-AE3-R价格参考￥0.2325。UTC(友顺) UT3N06G-AE3-R参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,3A;耗散功率(Pd):350mW;阈值电压(Vgs(th)):3V。下
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UT3N06G-AE3-R-VB是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET,设计用于SOT23封装。该器件适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。 主要特点与规格: 1. TrenchFET技术:采用TrenchFET结构,这种技术通过在硅片上挖掘细小的沟槽来增加表面积,从而降低RDS(ON),提高MOSFET的效率和性能。 2. 低RDS(ON):在10V的栅极电压下,RDS(ON)...
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商品描述:UT3N06G-AE3-R是晶体管的一种,是由UTC(友顺)设计和生产,使用的封装为SOT-23(SOT-23-3),当前UT3N06G-AE3-R库存比较稳定,也可以在线咨询,选择订货。深铭易购为您提供精准、全面的UT3N06G-AE3-R参数、价格、厂家、采购、批发等详细信息,购买UT3N06G-AE3-R就上深铭易购电子元器件采购网。
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