品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号UT3N06G-AE3-R-VB 商品编号C7463651 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.047533克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 4A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd...
品牌名称UTC(友顺) 商品型号 UT3N06G-AE3-R 商品编号 C84910 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.036克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)3A
UT3N06G-AE3-R 由UTC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 UT3N06G-AE3-R 价格参考￥ 0.31821 。 UTC UT3N06G-AE3-R 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23。你可以下载 UT3N06G-AE3-R 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 UTC、 友顺、 UT3N06G、 AE3、 R、 MOS管、 场效应管、 晶体管 商品图片 商品参数 品牌: UTC(友顺) 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 3A 功率(Pd): 350mW 导通电阻: 90mΩ@10V,3A 阈值电压(...
UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明:N沟道,60V,4A,导通电阻85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT23。应用简介:UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。适用领域与
UT3N06G-AE..UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明:N沟道,60V,4A,导通电阻85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT23。应用简介:UT3N0
全新原装UT3N06G-AB3-R 印字UT3N06GSOT-89 N沟道3A/60V 深圳市中健电子有限公司6年 回头率:38.4% 广东 深圳市福田区 ¥0.63成交0件 MOS管UT3N06G-AE3-R SOT-23 丝印3N06G 全新原装 N沟道60V 3A 深圳市智盛微电子有限公司4年 回头率:20% ...
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UT3N06G-AE3-R 由UTC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 UT3N06G-AE3-R 价格参考￥ 0.47682 。 UTC UT3N06G-AE3-R 封装/规格: SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23。你可以下载 UT3N06G-AE3-R 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能...
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