图1、不同带隙的能带结构 结构决定性能,半导体的能带结构表征可以助力电子能带结构以及光电性能解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析,详见图2,通常应用的方法有以下几种: 紫外可见漫反射测试计算带隙Eg; VB XPS测得价带位置Ev; UPS可测得材料的功函数Wf; 图2、 半导体的能级示意图 01 紫外可见漫反射测试计算...
通过测试和分析能带结构，可以揭示半导体的电子能带结构及光电性能。常见的方法包括紫外可见漫反射测试、X射线光电子能谱（XPS）和紫外光电谱（UPS）。紫外可见漫反射测试可以计算带隙。截线法和Tauc plot法是两种常用方法，截线法通过求取吸收阈值λg与禁带宽度Eg的关系来计算Eg；Tauc plot法则通过求取αhv...
图1、不同带隙的能带结构 结构决定性能,半导体的能带结构表征可以助力电子能带结构以及光电性能解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析,详见图2,通常应用的方法有以下几种: 紫外可见漫反射测试计算带隙Eg; VB XPS测得价带位置Ev; UPS可测得材料的功函数Wf; 图2、 半导体的能级示意图 01 紫外可见漫反射测试计算...