https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/999360/ucc23313-q1-short-circuit-clamping 器件型号:UCC23313-Q1 大家好、 此部件在保护功能中具有“短路钳位”。 数据表第8.3.4.3节中关于“短路钳位”的描述如下。 但是、我不确定这种钳位的工作...
器件型号:UCC23313-Q1 大家好、 此部件在保护功能中具有“短路钳位”。 数据表第8.3.4.3节中关于“短路钳位”的描述如下。 但是、我不确定这种钳位的工作情况以及它导致 IGBT 或 MOSFET 栅极保护的原因。 请告诉我需要此保护的更详细的情况。 “短路情况”解释了什么情况?
UCC23313-Q1 Stretched SO-6 7.5 mm x 4.68 mm (1) For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet. •Safety-related certifications: VCC 123654–6000-VPK basic isolation per DIN V VDE V0884-11: 2017-01 (In Progress) ...
UCC23313-Q1 Stretched SO-6 7.5 mm x 4.68 mm (1) For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet. •Safety-related certifications: VCC 123654–6000-VPK basic isolation per DIN V VDE V0884-11: 2017-01 (In Progress) ...
UCC23313 -Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围,因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313 -Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光...
TI公司的UCC23313-Q1是用于IGBT,MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单路隔离栅极驱动器,具有4.5A 源和5.3A沉峰值输出电流和3.75-kVRMS基本隔离指标.UCC23313-Q1电源电压高达33V,能有效地驱动 IGBT和SiC功率FET,并能驱动高边和低边功率FET.满足汽车应用的AEC-Q100规范,引脚对引脚地兼容 ...
在淘宝,您不仅能发现UCC23313BQDWYRQ1 隔离式栅极驱动器 UCC23313BQDWYRQ1 SOIC-6-4.的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于UCC23313BQDWYRQ1 隔离式栅极驱动器 UCC23313BQDWYRQ1 SOIC-6-4.的信息,请来
UCC23313-Q1电源电压高达33V,能有效地驱动IGBT和SiC功率FET,并能驱动高边和低边功率FET. 满足汽车应用的AEC-Q100规范,引脚对引脚地兼容光隔离栅极驱动器,12-V VCC UVLO,轨到轨输出,传输时延最大为105ns,产品间时延匹配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫(CMTI)大于150-kV/μs,隔离层寿命大于50年...
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UCC23313QDWYQ1 最新产品发布: 光MOS继电器:1500v,3750Vrms,6pin; 逻辑10Mbp高隔离光耦:7500Vmrs,10Mbps,Lsop8 立即购买下载高清PDF 产品概括 这是一款采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层的隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件,高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能...