一、芯片核心特性与应用定位 作为德州仪器(TI)专为高压功率应用打造的明星产品,UCC21750-Q1单通道隔离驱动芯片凭借 5.7kVrms 的增强型电容隔离技术,成为新能源汽车电驱系统、光伏逆变器等领域的理想选择。其±10A 的峰值驱动能力与 150V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可完美适配SiC MOSFET与IGBT的高速开关需求。芯片...
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750 关于UCC21750芯片AIN口用于采集IGBT结温(通过片上温敏二极管)时有些疑问: 1)目前的IGBT片上温敏二极管采样的设计流通电流大多为1mA左右,而21750芯片的电流源大小为200uA无法满足采样要求,当时设计芯片是怎么考虑的
UCC21750: UCC21750的AIN引脚设计问题 Part Number:UCC21750 UCC21750的AIN模拟采集引脚的电压范围0.6V~4.5V,内置电流源200uA,换算出可以采集的电阻值为3k~22.5k,而一般NTC的阻值变化范围0~120k,那要采集22.5k以上的电阻值应该怎么设计?因为超过22.5k时,AIN电压已经超过极限值4.5v。
LMG1020 UCC21750 TPS63900 LM5146 TPS61288 TPS63802 UCC24624 LM5143 BQ76942 UCC23513 TPS61022 LM5013 UCC21530 BQ25710 LM5155 BQ27Z561 LMR38020 TPS61023 UCC28951 LM5148 LM5177 BQ27Z746 LM61460 TPS2116 BQ25790 UCC21540 LM5180 BQ25792 UCC12050 LMG1210 TPS65994AD TPS2121 LM5156 LM5163 TPS...
UCC21750 TI/德州仪器 电机驱动ic步进直流马达驱动芯片 UCC21750 10000 德州仪器 SOIC16 32 ￥5.0000元10~-- 个 东莞市鑫沐电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 UCC21750DWR 电子元器件 TI/德州仪器 封装SOIC16 批次22+ UCC21750DWR ...
摘要:德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压以下的SiC mosfet和igbt,具有先进的保护功能。它提供了最好的动态性能和鲁棒性。UCC21750/UCC... 德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压...
UCC21750QDWQ1 引脚图 UCC21750QDWQ1 封装图 UCC21750QDWQ1 封装焊盘图 UCC21750QDWQ1 3D 模型 产品概述 适用于 SiC/IGBT 的汽车类 ±10A 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125 10A Gate Driver Capacitive Coupling 5700Vrms 1 Channel 16-SOIC ...
UCC21750DW 德州仪器(TI): 5.7kVrms ±10A, single-channel isolated gate driver w/ DESAT & internal miller clamp for IGBT/SiCFETs 查看全部 UCC21750DW 数据手册 UCC21750DW品牌厂家:TI(德州仪器),UCC21750DW渠道分销商:4家,现货库存数量:780 PCS,UCC21750DW价格参考:¥34.417元。TI(德州仪器) UCC21750...
UCC21750-Q1 的说明 UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12...
UCC21750 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达2121V 的SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS的工作电压、12.8kV PK的浪涌抗扰度，隔离层寿命...