能带排列是指异质结中能带边缘的对齐方式。在ii型能带排列中,导带的最低能级和价带的最高能级分别位于两个半导体中,这意味着电子和空穴在异质结中分别是在不同的半导体中迁移。 ii型能带排列具有许多独特的电子学和光学性质,已经在半导体器件的设计和应用中得到广泛应用。以下是一些与ii型能带排列相关的内容: 1....
2. ii型能带排列的半导体异质结: 2.1 ii型能带排列概念解释: ii型能带排列是指在半导体异质结中,导带和价带的边界发生了反转,即导带和价带在空间分布上相互交叠或发生错位。与i型能带排列不同,ii型能带排列在异质结中形成了一个电子束缚态,这种电子束缚态能够限制电子的移动并引起诸如增强光吸收、光致发光等现象...
在本文返回修改过程中,Letian Dou等人首次实验报道合成了二维单钙钛矿横向异质结(Nature, 10.1038/s41586-020-2219-7),并且他们发现通过无机组分和界面处的晶格应变可以调控异质结的性能,这一定程度验证了本工作提出的理论设计在实验上是有可能实现的。该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的...
·O-2)和空穴(h+)均为主要的氧化活性物种.此外,我们还采用光电化学测量研究了其光催化机理.光催化活性的增强是由于在MgSn(OH)6和SnO2之间形成了Type-Ⅱ型异质结,加速了光生电子和空穴的有效分离.循环实验表明MSOH-SO-50样品具有良好的光催化降解和结构稳定性.本文的研究为探索新型,高效的半导体光催化剂提供了...
1) II-type DHBT Ⅱ型双异质结双极晶体管2) HBT 异质结双极型晶体管 1. SiGe HBT Class AB Power Amplifier for Wireless Communications; 用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文) 2. Frequency performance is the first key factor in the design of heterojunction bipolar transistor(...
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