vDW异质结/范德华异质结:范德华异质结构是指由 2D 材料堆叠层形成的独特结构,具有标准材料中没有的独特特性和功能。 Type I/ I型,type II/II型,type III/III型异质结:发布于 2024-11-09 21:14・IP 属地中国香港 二维材料 赞同添加评论 分享喜欢收藏申请转载 ...
能带排列是指异质结中能带边缘的对齐方式。在ii型能带排列中,导带的最低能级和价带的最高能级分别位于两个半导体中,这意味着电子和空穴在异质结中分别是在不同的半导体中迁移。 ii型能带排列具有许多独特的电子学和光学性质,已经在半导体器件的设计和应用中得到广泛应用。以下是一些与ii型能带排列相关的内容: 1....
在光照下可以明显检测到DMPO-•O2-加合物的四个特征峰,说明CdS/T-CdWO4可以生成更多的•O2-,因此,在CdS/T-CdWO4异质结中S-scheme使光生电子保留在CdS的CB上,具有较强的还原产氢能力。对于CdS/M-CdWO4,在光照和黑暗条件下都没有DMPO-•O2-信号,这表明CdS/M-CdWO4在II型异质结机制下很难产生•...
文章要点3:对能带位置的进一步研究,揭示出In2S3和F-Fe2O3之间形成的type-Ⅱ型异质结。这种独特的异质结构为电荷分离和传输提供了强大的驱动力,从而产生了令人满意的体相和表面电荷分离效率。 图2. IFH和unIFH光阳极的XPS表征。 图3.α-Fe2O3, FH, unIFH和IFH光阳极的光电化学性能表征。 图4. 瞬态光电...
在构建新型 T-II/T-II 异质结中,三者间的强耦合作用和匹配的能带结构有助于促进光生电子和空穴的空间分离和转移。另外,QCN 对于促进光吸收有着关键的作用,而且独特的 0D/0D 结构不仅具有丰富的的光催化反应活性位点,而且有减小载流子迁移距离的优势。优化后的 QCN/a-TiO2/r-TiO2异质结展现出增强的光催化分解...
在构建新型 T-II/T-II 异质结中,三者间的强耦合作用和匹配的能带结构有助于促进光生电子和空穴的空间分离和转移。另外,QCN 对于促进光吸收有着关键的作用,而且独特的 0D/0D 结构不仅具有丰富的的光催化反应活性位点,而且有减小载流子迁移距离的优势。优化后的 QCN/a-TiO2/r-TiO2异质结展现出增强的光催化分解...
2. ii型能带排列的半导体异质结: 2.1 ii型能带排列概念解释: ii型能带排列是指在半导体异质结中,导带和价带的边界发生了反转,即导带和价带在空间分布上相互交叠或发生错位。与i型能带排列不同,ii型能带排列在异质结中形成了一个电子束缚态,这种电子束缚态能够限制电子的移动并引起诸如增强光吸收、光致发光等现象...
半导体能带对齐有重要意义。比如,对于电子器件来说,常用的为 type-I band alignment, 要求 CBO/VBO 大于 1eV 才能更有效的束缚电子/空穴,减小漏电[2]。type-II 异质结在异质结光催化分解水领域,可以有效减小电子空穴对符合,提高光催化效率[3]。 界面两侧的能带对齐(band alignment)依赖于两侧材料的电荷转移。当...
该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的方案,并给出了调控它们电子结构和光学性能的手段,为将来实验上实现高性能的横向异质结器件提供了有意义的理论指导。该成果以“Type-II Lateral Heterostructures of Monolayer Halide Double Perovskites for Optoelectronic Applications” (DOI: 10.1021/...
该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的方案,并给出了调控它们电子结构和光学性能的手段,为将来实验上实现高性能的横向异质结器件提供了有意义的理论指导。该成果以“Type-II Lateral Heterostructures of Monolayer Halide Double Perovskites for Optoelectronic Applications” (DOI: 10.1021/...