所以一台ASML的NXE:3400C EUV光刻机，一小时就可以生产7.65万块麒麟9000芯片，再考虑到90%的可用率，那么也是6.885万块。1天24小时可以生产165.24万块芯片，一个月就是4957.2万片麒麟9000芯片，一年就是5.95亿片。可见，只要如果我们能够买到一台ASML的NXE:3400C EUV光刻机，不需要最新的NXE:3600D，国内...
除了正在研发的 High-NA EUV 光刻机 Twinscan EXE 系列，ASML 也为其 NXE 系列传统数值孔径 EUV 光刻机持续更新升级，未来目标在 2025 年推出 NXE:4000F 机型。上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产，德媒 ComputerBase 因此预测 3800E 有望支持 3~2 纳米的尖端制程。根...
阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，采用的都是波长为13.5nm的极紫外光源，30mJ/cm2的曝光速度下，前者每小时可处理125片晶圆，后者则可达到170片。
除了正在研发的 High-NA EUV 光刻机 Twinscan EXE 系列,ASML 也为其 NXE 系列传统数值孔径 EUV 光刻机持续更新升级,未来目标在 2025 年推出 NXE:4000F 机型。 上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产,...
上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产,德媒 ComputerBase 因此预测3800E 有望支持 3~2 纳米的尖端制程。 根据ASML 此前分享的 2021 版路线图,Twinscan NXE:3800E 系统将相较上代 3600D 在对准精度(Overlay)和产能上进一步提升,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较 360...
ASML将在2019年推出产能更高的新型号TwinscanNXE 要的是,仅荷兰ASML有能力制造和出货EUV***,尼康的最高技术水平还停留在ArF氟化氩沉浸式***。 与此同时,ASML将在2019年推出产能更高的新型号TwinscanNXE: 3400C 2019-01-29 16:05:43 ASML 将向中国推出“特供版”DUV ***;英伟达或将部分AI GPU订单外包三星...
The TWINSCAN NXE:3600D combines imaging and overlay improvements with a 15% to 20% productivity improvement capability when compared to its predecessor, the NXE:3400C at dose 30mJ/cm2. The EUV lithography solutions provided by the TWINSCAN NXE:3600D are complementary to those provided by our ...
ASML在财报中还披露,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%,覆盖率(套刻精度)提高了约30%。 不过,ASML未透露接收客户是哪一家。 ASML还表示,正努力增加EUV光刻机在存储行业的量产应用,计划协助三个DRAM内存芯片客户在未来的工艺节点中导入EUV。
上两代 NXE 系列机型 3400C 和 3600D 分别适合 7~5、5~3 纳米节点生产,德媒 ComputerBase 因此预测 3800E 有望支持 3~2 纳米的尖端制程。 根据ASML 此前分享的 2021 版路线图,Twinscan NXE:3800E 系统将相较上代 3600D 在对准精度(Overlay)和产能上进一步提升,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较 ...
近日,ASML宣布其最新款EUV光刻机Twinscan NXE:3800E的安装工作已经完成,在半导体制造领域,光刻技术的进步是推动行业发展的关键因素之一。 EUV光刻机利用极紫外线(EUV)光源,可以在晶圆上刻蚀出更小的特征尺寸,从而实现更高密度的芯片制造。Twinscan NXE:3800E是ASML继NXE:3400C和NXE:3600D之后的新一代产品,预计将...