摘要 本发明公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件,包括第一区域,是P区,由P型掺杂硅衬底构成;第二区域,是N+区,由正面N型掺杂的扩散区构成;第三区域,是P+区,由正面P型掺杂的扩散区构成;第四区域,是N+区,由背面N型掺杂的扩散区构成;其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中,第二区域在第一...