TSSG法生长SiC单晶的装置设计蕴含着精妙的原理。通常,将Si和助熔剂元素放置在高纯石墨坩埚中,籽晶杆与冷端相连。高纯石墨坩埚在此扮演着双重关键角色,一方面,它作为容器盛放高温溶液;另一方面,鉴于高温溶液对C的溶解度较低,为实现大的生长量,在生长过程中持续补充C至关重要,而高...
TSSG法还实现了持续稳定的p型掺杂，成功生长出低电阻率、高结晶质量的p型SiC单晶。这一突破性进展为SiC在半导体器件领域的应用奠定了坚实基础，使其能更好地满足复杂多样的器件需求。
在TSSG法生长SiC单晶的过程中，显著的优势在于能够有效减少微管等缺陷的产生，并能够促进籽晶中固有微管的复合，从而显著提高晶体的整体质量，使SiC单晶更加纯净、无瑕。TSSG法在晶体扩径方面展现出显著优势，通过微调提拉速度，便能轻松实现晶体的放肩扩径，宛如为晶体生长打开了一扇通向广阔空间的大门。此外，这一技术...
与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. ...
TSSG法生长SiC单晶的装置设计蕴含着精妙的原理。通常,将Si和助熔剂元素放置在高纯石墨坩埚中,籽晶杆与冷端相连。高纯石墨坩埚在此扮演着双重关键角色,一方面,它作为容器盛放高温溶液;另一方面,鉴于高温溶液对C的溶解度较低,为实现大的生长量,在生长过程中持续补充C至关重要,而高纯石墨坩埚能够稳定地为晶体生长提供C源...