TOF-SIMS 可以用于轻元素检测,其检出限可达 ppm 级别。 TOF-SIMS 具有很好的质谱分辨率和空间分辨率,在进行 3D 化学成分表征时也有极大的优势。在着重于表面分析、薄膜或薄层的成分的科技领域,TOF-SIMS 是最佳的表征手段。 后记:清华大学...
试运行 | 飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)试运行通知 飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,主要用于材料表面以下纳米级别的浅表层分析,能够检测元素周期表中所有元素及其同位素。检测限在ppm级别(特殊情况可至ppb)。可以提...
以及ppm等级的侦测灵敏度。除此之外，TOF-SIMS的横向空间分辨率、纵深分析分辨率，非常适合像是多层膜结构...
总的来说，TOF-SIMS作为一种高分辨、高灵敏度的表面分析技术，在多个学科领域发挥着重要作用，为科学研究和技术发展提供了强有力的支持。实验室提供德国ION-TOF的先进TOF-SIMS仪器检测服务，可以为客户提供完善的SIMS技术解决方案。能够对于各行业样品检测掺杂剂和杂质深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率，检测所有元素...
检测粒子 X射线 俄歇电子 光电子 二次离子 三、性能对比 从设备的特征和性能方面来看,这几种表面分析方法的主要异同如下表。 EDS AES XPS TOF-SIMS 元素范围 B ~ U Li ~ U Li ~ U 全元素 信息深度 数μm 数nm 数nm 1nm 信息类型 元素 元素、化学态 元素、化学态 元素、碎片、分子 探测限 1E-3 ...
(4)TOF-SIMS元素分析范围H-U,包含有机无机材料的元素及分子态,检出限ppm级别。 小结: 飞行时间二次离子质谱技术(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来...
静态二次离子质谱(TOF-SIMS),即飞行时间二次离子质谱,是一种基于质谱的表面分析技术,它利用一次离子束轰击样品表面,引发原子或原子团的溅射,产生二次离子,这些带电的二次离子经过质量分析器后,根据质量的不同被分离,并到达探测器,从而得到质谱图;TOF-SIMS具有高分辨率、高精度、高灵敏度等优点,检出限可达ppm-ppb...
TOF-SIMS主要成分信息包括元素（H-U）、同位素、分析键接等，适用于有机和无机材料。其信息深度可达1-2nm，剖析膜层深度为纳米到微米，成分检出限约为ppm。定量分析需要标准样品。TOF-SIMS在刑侦科学中用于指纹残留物的化学成像，可显现传统方法无法显现的潜在指纹，获取指纹中的三级特征，检测外源性物质...
静态二次离子质谱(TOF-SIMS),即飞行时间二次离子质谱,是一种基于质谱的表面分析技术,它利用一次离子束轰击样品表面,引发原子或原子团的溅射,产生二次离子,这些带电的二次离子经过质量分析器后,根据质量的不同被分离,并到达探测器,从而得到质谱图;TOF-SIMS具有高分辨率、高精度、高灵敏度等优点,检出限可达ppm-ppb...
飞行时间二次离子质谱仪已经发展成为一个强大的微观表面分析应用技术。该技术可应用在传统动态SIMS不能应用的领域,具有以下优点:可以在一个几乎无限制的质量范围内同步检测不同的离子;具有很高的高质量分辨率;达到精确质量测定,准确离子传输;分析样品表面的无机和有机污染物,同时具有微米和亚微米的分辨能力。