厂家直销 VSD007NE4MS TO-252 N沟道 MOS场效应管 国产替代原装 VSD007NE4MS 522百万 壹芯微 TO-252 19+ ￥1.0000元80~2499 个 ￥0.9000元>=2500 个 深圳市壹芯微科技有限公司 6年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 原装现货 KS4618DB4 N+P沟道MOSFET场效应管 TO-252-4L封装 40V/34A ...
全新原装贴片场效应管 CEU4269 N+P沟道功率MOS管TO252-4封装 深圳市恒睿达科技有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥4.50 STD5NM50T4 丝印D5NM50 TO-252 500V 7.5A 功率MOS管原装xjsic 深圳市轩嘉盛电子有限公司10年 月均发货速度:暂无记录 ...
TLE42754D 集成电路、处理器、微控制器 INFINEON 封装TO252 TLE42754D 36000 INFINEON TO252 22+ ￥5.8000元1~-- 个 深圳市润百信科技有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 MOS管代理 捷捷微 JMGK088V10A 封装TO-252-4R 海量库存现货直发 JMGK088V10A 20000 捷捷微 TO-252-4R 2022...
一、矽源特ChipSourceTek-CST4012规格参数 矽源特ChipSourceTek-CST4012是一款具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET。其规格参数如下：N-Ch:BVDSS=40V，RDSON=17mΩ，ID=25A；P-Ch:BVDSS=-40V，RDSON=32mΩ，ID=-25A。矽源特ChipSourceTek-CST4012采用TO252-4L封装。二、矽源特ChipSourceTek-CST4012...
4511GH-A-VB是一款VBsemi公司生产的MOSFET,采用TO252-4L封装。它是一款共源共漏(Common Drain)双通道(N沟道和P沟道)MOSFET,具有高达±60V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS),以及优秀的电气性能和稳定性。该器件适用于要求高电压和高电流的电源管理和开关电路。
封装 TO-252-4L 批号 2021+ 数量 23000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2V 最大电源电压 9V 长度 7.7mm 宽度 7.4mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 4012 深圳元盛达主做器件有: 电源管理芯片/MOS管/可恢复保险丝/单节二合一锂电...
CST60N02是20V,60A的N沟道Mosfet,提供TO252-4R封装 矽源特ChipSourceTek-CST60N02是一款高性能的N沟道Mosfet，具有出色的电气特性和封装方式，适用于多种同步降压转换器应用。该产品的BVDSS为20V，RDSON为4.7mΩ，ID为60A，能够提供强大的电流处理能力。同时，它采用TO252-4R封装，使得安装和使用更为便捷。矽源特...
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4525GEH-VB是一款高性能的共源N+P通道MOSFET,采用TO252-4L封装。它集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,旨在提供高效的功率开关和低导通电阻特性。采用先进的沟槽(Trench)技术制造,4525GEH-VB适用于要求高电流处理能力和稳定性的应用环境。 ### 二、4525GEH-VB 详细参数说明 ...
CST60N02是BVDSS/20V,RDSON=4.7mΩ,ID=60A的N沟道Mosfet,提供TO252-4R封装.The 矽源特ChipSourceTek-CST60N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The 矽源特ChipSourceTek-CST60N02 ...