封装: TO-252-3 (DPAK) 批号: 21+ 数量: 50000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms Vgs...
VBsemi/微碧半导体 TO252 24+ ￥3.6000元10~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 IPD33CN10NGATMA1 电子元器件 INFINEON/英飞凌 封装TO252-3 批次22+ IPD33CN10NGATMA1 20589 INFINEON/英飞凌 TO252-3 22+ ...
NCEP1545K 封装TO-252 批次新年份 电子元器件 新洁能 场效应管 ￥0.45 查看详情 电子元器件 场效应管 NCE60P25K 封装TO252 P沟道 V A ￥1.00 查看详情 制造商多 系列- 封装SOP-8 电压基准芯片 ADR4540BRZ-R7 ￥0.23 查看详情 制造商ADI 封装SOP-8 电压基准芯片 ADR5040ARTZ-REEL7 ￥0.23 本店由微...
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封装 TO252-3 批号 22+ 数量 60000 制造商 Texas Instruments 产品种类 线性稳压器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 输出端数量 1 Output 极性 Positive 输出电压 1.25 V to 37 V 输出电流 500 mA 输出类型 Adjustable 最大输入电压 40 V 最小输入电压 4.2 V 最小...
封装 TO-252-3(DPAK) 批号 23+ 数量 300000 制造商 STMicroelectronics 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 600 V Id-连续漏极电流 11 A Rds On-漏源导通电阻 360 mOhms Vgs - 栅极-源...
封装 TO-252-3(DPAK) 批号 23+ 数量 300000 制造商 STMicroelectronics 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 600 V Id-连续漏极电流 12 A Rds On-漏源导通电阻 280 mOhms Vgs ...
封装 TO-252-3 批号 24+ 数量 20000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 低压差稳压器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 输出电压 3.3 V 输出电流 500 mA 输出端数量 1 Output 极性 Positive 最大输入电压 16 V 最小输入电压 2.5 V 输出类型 Fixed 最小工作温度 - ...
封装 TO-252-3 (DPAK) 批号 21+ 数量 50000 制造商 STMicroelectronics 产品种类 MOSFET RoHS 是 商标名 MDmesh 系列 STD13NM50N 商标 STMicroelectronics 产品类型 MOSFET 工厂包装数量 2500 子类别 MOSFETs 可售卖地 全国 型号 STD13NM50N 技术参数 品牌: STM 型号: STD13NM50N 封装: TO...
封装/ 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 600 V Id-连续漏极电流 3.5 A Rds On-漏源导通电阻 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 25 V Vgs th-栅源极阈值电压 3 V Qg-栅极电荷 8.5 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-...