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IRFR220NTRPBF 999 Infineon(英飞凌) TO-252-2(DPAK) 2023 ￥0.9000元1~-- 个 深圳市亿芯盛电子有限公司 1年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 LP2950CDTX-5.0/NOPB 电源管理芯片 TI/德州仪器 封装TO-252-2(DPAK) LP2950CDTX-5.0/NOPB ...
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封装 TO252-2 批号 最新年份+ 数量 965820 系列 MJD41C 功率 标准 特色服务 一站式BOM表配单 应用领域 家用电器 产品说明 原装现货 是否跨境货源 否 包装 2500 可售卖地 全国 用途 仪器 类型 其他IC 型号 MJD41C 货号 MJD41C 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商...
封装: TO-252-2 批号: 2246 数量: 19310 制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: PNP 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: - 100 V 集电极—基极电压 VCBO: - 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5...
封装: TO-252-2(DPAK) 数量: 2007 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流: 56 A Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + ...
封装 TO-252-2 批号 22+ 数量 800000 制造商 NCE 产品种类 场效应管(MOSFET) RoHS 是 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 60V Id-连续漏极电流 20A RdsOn-漏源导通电阻 35mΩ Pd-功率耗散 45W 工作温度 -55℃~+175℃ 应用 消费电子 可售卖地 全国 型号 NCE6020AK 鑫河电...
封装 TO-252-2(DPAK) 批号 22+/21+ 数量 100000 描述 MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 18 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-200V-3.8A(Tc)-2.1W( 数据列表 AOD450; 标准包装 TO252 (DPAK) Pkg Drawing; 包装 2,500 零件状态 标准卷...
品牌/型号:长电/TO-252-2L4R 结构:面接触型 品牌:长电 型号:TO-252-2L4R 供应商信息 公司地址南京市秦淮区洪武路26号1112室统一社会信用代码9132010474536188XJ 组织机构代码74536188-X注册资本500万人民币 营业期限34974-07-23至64973-10-21经营状态存续 ...
封装: TO-252-2(DPAK) 批号: 23+ 数量: 200000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: onsemi 系列: QFET® FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(...