封装 TO-252-4L 批号 2021+ 数量 23000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2V 最大电源电压 9V 长度 7.7mm 宽度 7.4mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 4012 深圳元盛达主做器件有: 电源管理芯片/MOS管/可恢复保险丝/单节二合一锂电...
封装 TO-252-4L 批号 20+ 数量 260000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 80C 最小电源电压 1V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 6.1mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 NCE609 技术参数 品牌: NCE/新洁能 型号: NCE609 封装: TO-252-4L 批号:...
封装 TO-252-4L 品牌 HUILIDA 货号 AOD609 批号 AB7H28 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格...
4. 可靠性高:矽源特ChipSourceTek-CST4012符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。 5. 易于使用:矽源特ChipSourceTek-CST4012采用TO252-4L封装,易于集成和焊接。 三、矽源特ChipSourceTek-CST4012应用领域 由于矽源特ChipSourceTek-CST4012具有出色的性能和可靠性,因此广泛应用于各种需要高...
封装: TO-252-4L 批号: 24+ 数量: 185000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: NCE/新洁能 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
矽源特ChipSourceTek-CST4012是一款具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET。其规格参数如下:N-Ch:BVDSS=40V,RDSON=17mΩ,ID=25A;P-Ch:BVDSS=-40V,RDSON=32mΩ,ID=-25A。矽源特ChipSourceTek-CST4012采用TO252-4L封装。 二、矽源特ChipSourceTek-CST4012产品特点 ...
封装 TO-252-4L 批号 23+ 数量 13220 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 130C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 9V 长度 1.7mm 宽度 4mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 NCE60NP2012K 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参...
一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 A) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装形式 TO-252-4L 包装方式 载带 包装数量(箱) 2500 只*1盘(盒)*8盒=20000 只/箱 一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 B) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装方式 TO-252-4L 包装方 式 ...
封装 TO-252-4L 可售卖地 全国 型号 KS3640DB4 品牌: 冠禹半导体型号: KS3640DB4封装: TO-252-4L品类: P沟道功率MOS管/场效应管MOSFET主要参数:VDS= -30 VID = -28 ARDS(ON) @VGS= 10 V, TYP 18 mΩRDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 28 mΩ深圳市芯导电子有限公司货源长期稳定供应,批次新,品质...
一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 A) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装形式 TO-252-4L 包装方式 载带 包装数量(箱) 2500 只*1盘(盒)*8盒=20000 只/箱 一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 B) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装方式 TO-252-4L 包装方 式 ...