封装 TO-252-4L 批号 2021+ 数量 23000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 2V 最大电源电压 9V 长度 7.7mm 宽度 7.4mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 4012 深圳元盛达主做器件有: 电源管理芯片/MOS管/可恢复保险丝/单节二合一锂电...
TO252-4L封装
一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 A) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装形式 TO-252-4L 包装方式 载带 包装数量(箱) 2500 只*1盘(盒)*8盒=20000 只/箱 一,丝印说明 TO-252-4L 产品信息表(封装厂 B) 二,外形尺寸 三,载带图纸 四,包装数量 封装方式 TO-252-4L 包装方 式 ...
一、矽源特ChipSourceTek-CST4012规格参数 矽源特ChipSourceTek-CST4012是一款具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET。其规格参数如下：N-Ch:BVDSS=40V，RDSON=17mΩ，ID=25A；P-Ch:BVDSS=-40V，RDSON=32mΩ，ID=-25A。矽源特ChipSourceTek-CST4012采用TO252-4L封装。二、矽源特ChipSourceTek-CST4012...
矽源特ChipSourceTek-CST4030采用了TO252-4L封装,具有40V的耐压能力和高达30A的连续电流能力。其独特的N+P双沟道设计使得它能够在不同的工作条件下快速切换,从而实现高效的能量转换和传输。同时,矽源特ChipSourceTek-CST4030还具有极低的RDS(on)(导通电阻),分别为N沟道13.5mΩ和P沟道25mΩ,这一特性使得它在高...
封装: TO-252-4L 批号: 24+ 数量: 350000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: SAMHOP 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
4. 可靠性高:矽源特ChipSourceTek-CST4012符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。 5. 易于使用:矽源特ChipSourceTek-CST4012采用TO252-4L封装,易于集成和焊接。 三、矽源特ChipSourceTek-CST4012应用领域 由于矽源特ChipSourceTek-CST4012具有出色的性能和可靠性,因此广泛应用于各种需要高...
封装 TO-252-4L 批号 20+ 数量 260000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 80C 最小电源电压 1V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 6.1mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 NCE609 技术参数 品牌: NCE/新洁能 型号: NCE609 封装: TO-252-4L 批号:...
封装形式: TO-252-4L 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 贴片式 包装方式: 卷带编带包装 功率特征: 大功率 发布询价信息 相关产品 场效应MOS管si3012 TO-252封装 30V/120A N沟道 榨汁杯方案专用 MOS场效应管Si1110带ESD保护 TO-252封装 100V/18A 应用于多串锂电保护板方案 电动工具热销方案MOS管si6040...
封装 TO-252-4L 可售卖地 全国 型号 KS3640DB4 品牌: 冠禹半导体型号: KS3640DB4封装: TO-252-4L品类: P沟道功率MOS管/场效应管MOSFET主要参数:VDS= -30 VID = -28 ARDS(ON) @VGS= 10 V, TYP 18 mΩRDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 28 mΩ深圳市芯导电子有限公司货源长期稳定供应,批次新,品质...