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封装 TO-220封 低内阻场效应管KIA75NF75 80A 80V TO-220封装 N沟道MOS管中文资料KIA75NF75场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,低RDS-ON可将传导损耗降至最低,具有低导通电阻、大雪崩电流、最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗等优点,提供无铅环保设备,优质稳定。低内阻场效...
VBsemi的20NF20-VB TO220F是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种电源电子应用场合。其TO220F封装适合中等功率电路设计,具有良好的散热性能和可靠性。 ### 二、详细参数说明 - **封装类型**:TO220F- **配置**:单N沟道- **漏源电压(VDS)**:200V- ...
40NF20-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件具有200V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)、3V的栅极阈值电压(Vth)、38mΩ的导通电阻(RDS(ON))(在VGS=10V时)、45A的漏极电流(ID),采用Trench技术。 ### 详细参数说明 - **型号**:40NF20-VB - **封装类型**:TO220...
50NF25-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO220 封装。它具有较高的漏极-源极电压(250V)和适中的电流处理能力,适合于中功率应用场合。 ### 50NF25-VB 详细参数说明 - **封装形式**: TO220 - **配置**: 单 N 沟道 ...
新洁能场效应管NCE65NF099F -MOS管TO-220F封装 一、General Description The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)and low gate charge and With a rapid recovery bodydiode.This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DCSMPS...
封装 TO-220 批号 21+ 数量 6000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 130C 最小电源电压 3V 最大电源电压 8.5V 长度 9.9mm 宽度 3.5mm 高度 2.7mm 可售卖地 全国 型号 75NF75/KIA75NF75 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/电压基准 商品关键词 STP55NF06、 ST/意法、 TO-220 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法 封装: TO-220 批号: 22+ 数量: 68656 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 60 V ...
原装KIA75NF75 TO-220封装 价格优势 欢迎咨询查看详情> 张静燕() 86 755 82538699 请注意:本图片来自深圳市航天龙电子科技有限公司提供的原装 KIA75NF75 TO-220封装 价格优势 欢迎咨询产品,图片仅供参考,原装 KIA75NF75 TO-220封装 价格优势 欢迎咨询产品会因为批次的不同可能与本图片不一致,请以收到的实物为...
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