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STF18N60M2 TO-220FP 封装 N- 沟道 600 V,0.255 Ω (典型值),13 A MDmesh II Plus ™ low Qg (低栅电荷)功率 MOSFET 数据手册 生产数据 特性 3 2 1 TO-220FP Figure 1. 内部原理图 订购码 STF18N60M2 VDS @ TJmax RDS(on) max ID 650 V 0.28 Ω 13 A • 极低的栅极电荷 ...
封装: TO-220FP 批号: 21+ 数量: 11000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 整流器 RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220FP-3 Vr - 反向电压: 200 V If - 正向电流: 8 A 配置: Dual Common Cathode Vf - 正向电压: 1.25 V 最大浪涌电流: 50 A Ir - ...
封装: TO-220FP 批号: 22+ 数量: 2765 制造商: ON Semiconductor 产品种类: 整流器 RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220FP-3 Vr - 反向电压: 600 V If - 正向电流: 15 A 配置: Single Vf - 正向电压: 1.5 V 最大浪涌电流: 150 A Ir - 反向电流: 10 ...
型号: STTH8L06FP 封装: TO-220FP 批号: 23+ 数量: 7500 类别: 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 制造商: STMicroelectronics 二极管类型: 标准 电流- 平均整流 (Io): 8A 速度: 快速恢复 lt; 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 105 ns ...
封装: TO-220FP 批号: 1722CN 数量: 100 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 整流器 RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220FP-3 Vr - 反向电压 : 200 V If - 正向电流: 20 A 配置: Dual Common Cathode Vf - 正向电压: 1.25 V 最大浪涌电流: 90 A Ir - 反向电流 : 10 uA...
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管,其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。 电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘,导致功率晶体管引脚之间...
封装: TO-220FP 批号: 21+ 数量: 58888 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 75 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms Vg...
封装/规格: TO-220FP 包装: 盒装 最小包装量: 1000 封装: TO-220FP 批号: 23+ 数量: 600000 RoHS: 是 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。