MLC:多层单元,每个单元存储2位数据。 TLC:三层单元,每个单元存储3位数据。 QLC:四层单元,每个单元存储4位数据。 2.耐用性 SLC:拥有最高的耐用性,因为每个单元的写入次数最少。 MLC:耐用性适中,低于SLC但高于TLC和QLC。 TLC:耐用性低于SLC和MLC,但通常足够日常使用。 QLC:耐用性最低,适用于读取密集型应用。
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年; qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。 qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,...
QLC SSD在所有类型中性能最差,耐用性最低。 3.成本考量不同 SLC SSD由于其优异的性能和耐用性,通常价格最高。MLC SSD在性能和成本之间提供了一个平衡点。TLC SSD由于其更高的存储密度,成本相对较低。QLC SSD提供最低的成本,适合大容量数据存储,但牺牲了性能和耐用性。 4.应用场景不同 SLC SSD通常用于企业级...
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年; qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。 qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,...
- SLC (Single-Level Cell):每个cell存储1bit数据。 - MLC (Multi-Level Cell):每个cell存储2bit数据。 - TLC (Trinary-Level Cell):每个cell存储3bit数据。 - QLC (Quad-Level Cell):每个cell存储4bit数据。 我们可以将cell比作一张格子纸,数据则相当于放在格子里的黄豆。SLC每个格子只能放1颗黄豆,MLC为...
MLC和TLC的区别是成本不同,闪存粒子最早只是SLC技术粒子,为了降低成本,制造商开发了MLC颗粒,为了进一步降低成本,制造商开发了TLC颗粒,因此TLC的成本低于MLC,性能也是不同的,闪存颗粒本质上是一块指甲大小的硅板,通过极紫外光将其雕刻成数十亿纳米级存储单元,新一代TLC颗粒在性能上优于MLC。
一、SLC、MLC、TLC、QLC之区别是什么？从使用寿命和价格上比较。1、单层次存储单元SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，速度快寿命最长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。2、双层存储单元MLC = Multi-Level Cell，即 2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---1万次擦写寿命。...
一、SLC、MLC、TLC、QLC 简介 1. SLC（Single-Level Cell）：即单层单元闪存，每个单元存储 1 个比特的数据。2. MLC（Multi-Level Cell）：即多层单元闪存，每个单元存储 2 个比特的数据。3. TLC（Triple-Level Cell）：即三层单元闪存，每个单元存储 3 个比特的数据。4. QLC（Quad-Level Cell）：即四层...
1、生产成本上,slc>mlc>tlc>qlc 2、读写速度上,slc>mlc>tlc>qlc 3、在使用寿命上,slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。