型号 TK100A10N1东芝代理商 MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密...
TK100A10N1,S4X由TOSHIBA(东芝)设计生产,立创商城现货销售。TK100A10N1,S4X价格参考¥10.16。TOSHIBA(东芝) TK100A10N1,S4X参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,50A;耗散功率(Pd):45W;阈值电压(Vgs
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