TK100A10N1,S4X由TOSHIBA(东芝)设计生产,立创商城现货销售。TK100A10N1,S4X价格参考¥10.16。TOSHIBA(东芝) TK100A10N1,S4X参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,50A;耗散功率(Pd):45W;阈值电压(Vgs
找TK100A10N1,S4X(S规格参数技术文档,厂家,现货等,上阿里巴巴IC专业市场。为你找到7,060条TK100A10N1,S4X(S型号,品牌,封装,批号,价格,图片等信息,批发采购TK100A10N1,S4X(S,上阿里巴巴1688 IC频道。
在淘宝,您不仅能发现全新TK100A10N1,S4X原装〈MOSFET N-CH 100V 100A T的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于全新TK100A10N1,S4X原装〈MOSFET N-CH 100V 100A T的信息,请来淘宝深入了解吧!
唯样商城为您提供Toshiba设计生产的TK100A10N1,S4X(S 元器件,主要参数为:,TK100A10N1,S4X(S库存充足,购买享优惠!
创壹芯城 4.7 平均23小时发货 商品体验优秀 物流体验良好 已售少于100 ¥17.11点击查看更多 配送: 上海至 北京东城 快递: 23.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 查看更多 参数信息 品牌 chuangyi shopping 图文详情 0
TK40A10N1,S4X(S产品技术参数 安装类型通孔 长度10mm 尺寸10 x 4.5 x 15mm 典型关断延迟时间57 ns 典型接通延迟时间35 ns 典型输入电容值@Vds3000 pF @ 50 V 典型栅极电荷@Vgs49 nC @ 10 V 封装类型TO-220SIS 高度15mm 晶体管材料Si 晶体管配置单 ...
制造商编号 TK100A10N1,S4X(S 制造商 Toshiba(东芝) 唯样编号 N-TK100A10N1,S4X(S 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-Ch 100V 207A U-MOS-H TO-220SIS 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代...
TK22A10N1,S4X(S产品技术参数 安装类型通孔 长度10mm 尺寸10 x 4.5 x 15mm 典型关断延迟时间38 ns 典型接通延迟时间27 ns 典型输入电容值@Vds1800 pF @ 300 V 典型栅极电荷@Vgs28 nC @ 10 V 封装类型TO-220SIS 高度15mm 晶体管材料Si 晶体管配置单 ...
唯样商城为您提供Toshiba设计生产的TK100A10N1,S4X 元器件,主要参数为:TO-220SIS ,TK100A10N1,S4X库存充足,购买享优惠!
全新TK40A10N1,S4X原装〈MOSFET N-CH 100V 40A TO2 已售少于100 ¥17.11点击查看更多配送: 上海至 北京东城 快递: 23.00春节快递紧张,先买先发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 chuangyi shopping 图文详情 0 本店推荐 PTFR1206B1M00N9 电阻器...