技术参数如下:离子源:Ga离子液态离子源;离子束交叉点分辨率:4.5 nm@30 kV ;离子束加速电压:0.5 kV ~ 30 kV;离子束流强度:1.0 pA ~ 65 nA;X、Y 方向移动范围 150 mm;Z 范围 10 mm;倾斜范围-10 度至 60 度;可绕 Z 轴...
FIB的首次应用是在半导体行业,利用来自液态金属离子源(如镓离子源)的高电流密度聚焦离子束(LIMIS),从集成电路上铣削出微米大小的结构。随后几年,FIB主要用于半导体行业的样品制备,典型应用包括质量控制、晶圆修复和微电子故障分析。 FIB基本原理是用加速重离子轰击靶...
直接刻蚀成形加工是FIB系统最常用的工作模式,并且从原理上讲FIB加工对待加工材料无选择性,可实现对每一个加工点深度的控制。 2)材料沉积加工。应用FIB-SEM系统的材料沉积功能可制作纳米材料的测量电极,如图7所示,碳纳米管随机分散在4根8 μm宽微电极中,采用系统的Pt沉积功能,将4根微电极逐段延伸,精确覆盖在碳纳米...
优化FIB制样策略 1. 气体辅助蚀刻：虽然提高了研磨速率，但增加了结晶-非晶界面的粗糙度，可能进一步损害TEM图像。2. 低能量FIB：在这些能量下，蚀刻速率和位置分辨率会受到影响，但束能量的减少可以使损伤深度最小化。3. 氩离子研磨精修：原始的FIB损伤层，可以通过氩离子精修去除，去除的效果取决于氩离子的能量、...
TEM 制样方法中：FIB制样的优势和缺陷 01 TEM 制样方法概述 透射电子显微镜能够精细地观察样品的结构，甚至可以观察到仅由一列原子构成的结构。其分辨率比光学显微镜高出许多，可达到 0.1～0.2 nm，放大倍数可达几万至百万倍，使得我们能够深入研究并理解样品的微观结构和特性。TEM 的测试原理是利用透过样品的...
下面我们来具体演示FIB制备透射电镜样品的方法。 首先,我们把原位芯片 45 度放置在样品台上,然后把测试样品放在芯片上; 通过电子数和离子数同时运作,对样品进行加工处理。 样品加工第一步,在目标沉积区域积累铂,铂条的宽度大约为1微米。 第二步,在铂条的前后两侧进行凹槽制备,也就是我们常说的轰击制备,样品轰击深...
FIB的原理与SEM相似，主要差别在于FIB使用离子束作为入射源，FIB的外加电场作用于液态金属离子源，使液态...
今天我们来聊聊FIB-TEM样品制备的整个流程。其实这个过程还挺复杂的,但只要一步步来,也没什么大不了的。下面我就详细给大家讲解一下。 第一步:找到目标位置并喷Pt保护 🔍 首先,你需要找到你想要观察的目标位置。然后,在这个位置上喷上一层Pt(就是那个突起的长条形状),这样可以保护样品不被离子束轰击损坏。 第...
在锂离子电池正极材料中，掺杂元素的种类和浓度对其电化学性能有着显著影响。通过FIB制样结合TEM技术，可以直观地观察到掺杂元素在晶格中的分布和状态，从而揭示其对材料性能的影响机制。例如，某些掺杂元素可能会改变材料的晶格常数、键合状态或电子结构，进而影响其离子传导和电子传导性能。聚焦离子束FIB微纳加工原理-图...
双束聚焦离子束-扫描电镜(FIB):TEM样品制备 双束聚焦离子束-扫描电镜(Dual Beam Focused Ion Beam, FIB)作为一种先进的微观加工与分析技术,广泛应用于材料科学、纳米技术、半导体研究等领域。其不仅可以制作常见的截面透射电子显微镜(TEM)薄片样品,还能根据不同的研发表征需求,对材料样品的表面进行平面加工制样。