高效率潜力:HBC电池因其优异的异质结特性和背接触设计,被认为是高效率太阳能电池的有力候选。 HPBC、TBC和HBC电池都代表了光伏电池技术的进步,它们通过不同的技术路径提高了电池的光电转换效率。 TBC和HBC电池在转换效率层面优于经典IBC技术。 HBC电池结合了HJT电池的表面钝化性能和IBC电池正面无金属遮挡的优点,具备...
金融界2024年9月28日消息,国家知识产权局信息显示,正泰新能科技股份有限公司取得一项名为“一种TBC电池”的专利,授权公告号CN 221766766 U,申请日期为2023年12月。 专利摘要显示,本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,公开了一种TBC电池,包括衬底;设于衬底的背面包括第一区域和第二区域;第一区域设置有第一电极;第...
金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN 118782672 A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法。该TBC太阳能电池包括N型...
专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i ‑poly Si沉积及次激光开槽，可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同...
安徽旭合申请新型掺杂材料的TBC太阳能电池专利，提升电池效率可达0.5％ 金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，安徽旭合新能源科技有限公司申请一项名为“一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池、制备方法及设备”的专利，公开号CN 118841480 A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种新型掺杂...
摘要 公开了一种TBC太阳能电池,其包括:硅片衬底,其具有一正面和一背面;氧化硅层,沉积在硅片衬底的背面上;多晶硅层,沉积在氧化硅层上;掺杂区,其包括P型掺杂区和N型掺杂区,且P型掺杂区与N型掺杂区依次交替呈直线排列位于多晶硅层内;第一减反射膜,沉积在多晶硅层上;第二减反射膜,沉积在硅片衬底的正面上;电极,...
摘要 公开了一种TBC太阳能电池,其包括:硅片衬底,其具有一正面和一背面;氧化硅层,沉积在硅片衬底的背面上;多晶硅层,沉积在氧化硅层上;掺杂区,其包括P型掺杂区和N型掺杂区,且P型掺杂区与N型掺杂区依次交替呈直线排列位于多晶硅层内;第一减反射膜,沉积在多晶硅层上;第二减反射膜,沉积在硅片衬底的正面上;电极,...
金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法”的专利,公开号CN 118782672 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法。该TBC太阳能电池包括N型硅...
金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法”的专利,公开号CN 118782672 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种横纵向复合多结TBC太阳能电池及其制备方法。该TBC太阳能电池包括N型硅...
金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种TBC太阳能电池的制备方法”的专利,公开号CN 118782688 A,申请日期为2024年9月。 专利摘要显示,本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行...