SiO2/Ta界面 界面反应 X射线光电子能谱磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层. 利用磁控溅射方法在表面有300 nm 厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜. 采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析, 并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析. 结果表明在SiO2/Ta界面处发...
For the new Schott EAPSM Material, comprising a Ta/SiO/Cr stack, a patterning process has been developed. The material offers the advantage of an independent adjustment of phase shift and transmission and is applicable for different wavelengths. Because of very homogenous Ta and SiOfilms and perf...
示意图2. 浸涂法制备PVA-TA@SiO2水凝胶涂层金属网,及其油/水分离机理 图4. 水凝胶涂层金属网M/PVA-TA@SiO2的SEM和EDX图 图5. a) 原始金属网、M/PVA-TA@SiO2、M/PVA-TA@SiO2的水接触角和水下油接触角。b) M/PVA-TA@SiO2对不同油的水下油接触角。c)在PH=2-12水中,M/PVA-TA的油接触角。d)在...
本文中制备的Ta2O5薄膜厚度均为100nm,因此SiO2界面对总介电常数还是存在一定影响,辅源能量为0eV时,由于存在的SiO2界面层较厚,所以薄膜的介电常数相对较低,其值为22.5;(2)不同辅源能量(0、100、200、300eV)下,平带电压分别为-1.44、-1.64、-0.92、-1.3V,这和氧化层电荷密度值有密切的关联,而且所有电容的...
磁性多层膜中sio2_ta界面反应及其对缓冲层的影响 文档格式: .pdf 文档大小: 264.65K 文档页数: 3页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 论文--期刊/会议论文 系统标签: 多层膜缓冲层nife磁性sioxps 47 ^ 13 2002 7 978 .scichina R SiO 2 /Ta = 3 5 ...
介绍了利用正硅酸乙酯的碱催化,溶胶-凝胶法制备多孔SiO2增透膜.较详细地研究了不同配方的溶胶在陈化过程中规律性的变化,涂膜方法采用浸渍提拉法,涂制多孔SiO2增透膜的... 乐月琴,张伟清,唐永兴,... - 《硅酸盐通报》 被引量: 20发表: 1998年 耐环境性SiO_2/SiO_2-TiO_2增透膜的设计与制备 根据膜层设...
随着超大规模集成电路的快速发展,器件的特征尺寸在不断缩小,特别是 到 0.1μm 尺寸范围时,如仍采用 SiO2/SiONx作为栅介质材料,将会导致栅压对 沟道控制能力的减弱和器件功耗的急剧增加,而利用高介电材料代替传统栅介 质,可以在保持等氧化层厚度(EOT)不变的条件下,增加介质层的物理厚度,从 而大大降低直接隧穿...
各种氧化物材料按其对熔融钛合金的化学稳定性由低到高排列的顺序如下:SiO2、MgO、Al2O3、CaO、ZrO2、Y2O3、ThO2。ThO2由于具有放射性已基本不用。CaO容易吸潮,所以阻碍了它的应用。现在,用作熔模铸造型壳面层和邻面层的材料主要是Y2O3、ZrO2。 未经稳定化处理的ZrO2不能做为铸钛的造型材料,因为它会发生同素...
Influences of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold of Ta2O5 films Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 pro... Cheng,Xu,Hongcheng,... - 《Chinese Optics Letters》 被引量: 24...
钽(Ta)和铌(Nb)是性质相似的两种单质,一种以钽铌伴生矿(主要成分为SiO2、MnO2、Nb2O5、Ta2O5和少量的TiO2、FeO、CaO、MgO)为原料制取钽和铌的流程如图:“浸取”后的浸出液中含有H2TaF7、H2NbF7两种二元强酸和锰、钛等元素。已知:①MIBK为甲基异丁基酮;②Ksp(CaF2)=2.5×10-11,Ksp(MgF2)=6.4×10-9...